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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> MMBT5551-7-F
MMBT5551-7-F PDF预览

MMBT5551-7-F

更新时间： 2024-09-30 02:53:47
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 晶体小信号双极晶体管开关光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
4页 412K
描述
NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR

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MMBT5551-7-F 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：13 weeks
风险等级：0.61Samacsys Confidence：4
Samacsys Status：ReleasedSamacsys PartID：441324
Samacsys Pin Count：3Samacsys Part Category：Transistor BJT NPN
Samacsys Package Category：SOT23 (3-Pin)Samacsys Footprint Name：SOT-23 (f)
Samacsys Released Date：2017-09-12 05:43:02Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.2 A集电极-发射极最大电压：160 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：30
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.3 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
Base Number Matches：1

MMBT5551-7-F 数据手册

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SPICE MODEL: MMBT5551  
MMBT5551  
NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR  
Features  
·
·
·
·
Epitaxial Planar Die Construction  
Complementary PNP Type Available (MMBT5401)  
Ideal for Medium Power Amplification and Switching  
Lead Free/RoHS Compliant (Note 2)  
SOT-23  
A
Dim  
A
Min  
0.37  
1.20  
2.30  
0.89  
0.45  
1.78  
2.80  
0.013  
0.903  
0.45  
0.085  
0°  
Max  
0.51  
1.40  
2.50  
1.03  
0.60  
2.05  
3.00  
0.10  
1.10  
0.61  
0.180  
8°  
C
B
C
B
TOP VIEW  
B
E
C
Mechanical Data  
D
E
G
D
H
·
·
Case: SOT-23  
E
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability  
Classification Rating 94V-0  
K
G
H
M
J
L
·
·
·
·
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020C  
Terminal Connections: See Diagram  
J
K
Terminals: Solderable per MIL-STD-202, Method 208  
C
L
Lead Free Plating (Matte Tin Finish annealed over Alloy 42  
leadframe).  
M
·
·
·
Marking (See Page 2): K4N  
a
E
B
Ordering & Date Code Information: See Page 2  
Weight: 0.008 grams (approximate)  
All Dimensions in mm  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings  
Characteristic  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
MMBT5551  
180  
Unit  
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
160  
V
Emitter-Base Voltage  
6.0  
V
Collector Current - Continuous (Note 1)  
Power Dissipation (Note 1)  
200  
mA  
mW  
°C/W  
°C  
Pd  
300  
R
qJA  
Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 1)  
Operating and Storage and Temperature Range  
417  
Tj, TSTG  
-55 to +150  
Notes: 1. Device mounted on FR-4 PCB, 1 inch x 0.85 inch x 0.062 inch; pad layout as shown on Diodes Inc. suggested pad layout  
document AP02001, which can be found on our website at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf.  
2. No purposefully added lead.  
DS30061 Rev. 9 - 2  
1 of 4  
MMBT5551  
www.diodes.com  
ã Diodes Incorporated  
1234

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