MMBT5551

更新时间： 2024-02-08 14:26:31

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美微科 - MCC		晶体晶体管光电二极管放大器
页数	文件大小	规格书
2页	161K
描述
NPN Plastic Encapsulate Transistor

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MMBT5551 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	0.62
最大集电极电流 (IC)：	0.6 A	集电极-发射极最大电压：	160 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	50
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	Base Number Matches：	1

MMBT5551 数据手册

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

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MMBT5551

Micro Commercial Components

Features

NPN Plastic

Encapsulate

Transistor

•

Collector Current: I_CM=0.6A

Collector-Base Voltage: V_(BR)CBO=180V

Operating And Storage Temperatures –55^OC to 150^OC

•

Capable of 0.3Watts of Power Dissipation

Marking: G1

Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates

RoHS Compliant. See ordering information)

SOT-23

Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

Moisure Sensitivity Level 1

Electrical Characteristics @ 25^OC Unless Otherwise Specified

Symbol

Parameter

Min

Max

Units

OFF CHARACTERISTICS

V_(BR)CEO

V_(BR)CBO

V_(BR)EBO

I_CBO

Collector -Emitter Breakdown Voltage

160

180

6.0

---

Vdc

(I =1.0mAdc, I_B=0)

Collector-Base Breakdown Voltage

(I_C=100uAdc, I_E=0)

Emitter-Base Breakdown Voltage

(I_E=10uAdc, I_C=0)

Collector Cutoff Current

(V_CB=120Vdc, I_E=0)

Emitter Cutoff Current

(V_EB=4.0Vdc, I_C=0)

---

Vdc

0.1

uAdc

I_EBO

---

DIMENSIONS

INCHES

ON CHARACTERISTICS

h_FE-1

DIM

MIN

MAX

MIN

2.80

2.10

1.20

.89

1.78

.45

.013

MAX

NOTE

.110

.083

.047

.035

.070

.018

.120

.098

.055

.041

.081

.024

.0039

.044

.007

.020

3.04

2.64

1.40

1.03

2.05

.60

.100

1.12

.180

.51

DC Current Gain

100

---

200

---

(V_CE=5.0Vdc, I =1.0mAdc)

h_FE-2

DC Current Gain

(V_CE=5.0Vdc, I =10mAdc)

h_FE-3

DC Current Gain

.0005

.035

.003

.015

(V_CE=5.0Vdc, I =50mAdc)

.89

.085

.37

V_CE(sat)

V_BE(sat)

Collector-Emitter Saturation Voltage

(I =50mAdc, I_B=5.0mAdc)

0.5

1.0

Vdc

---

Suggested Solder

Pad Layout

Base-Emitter Saturation Voltage

(I =50mAdc,I_B=5.0mAdc)

SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS

.031

.800

f_T

Current Gain-Bandwidth Product

(I =10mAdc, V_CE=5.0Vdc, f=30MHz)

100

---

MHz

.035

.900

inches

.079

2.000

.037

.950

.037

.950

www.mccsemi.com

1 of 2

Revision: A

2011/01/01

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MMBT5551 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
MMBT5551-TP	MCC	功能相似	PNP Plastic Encapsulate Transistor
MMBT5551-7-F	DIODES	功能相似	NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR

与MMBT5551相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MMBT5551/S62Z	TI	获取价格	200mA, 160V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBT5551_07	DIOTEC	获取价格	Surface Mount General Purpose Si-Epi-Planar Transistors
MMBT5551_08	DIODES	获取价格	NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
MMBT5551_1	DIODES	获取价格	NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
MMBT5551_10	UTC	获取价格	HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR
MMBT5551_11	MCC	获取价格	NPN Plastic Encapsulate Transistor
MMBT5551_15	KEXIN	获取价格	NPN Transistors
MMBT5551_15	UTC	获取价格	HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR
MMBT5551_NL	FAIRCHILD	获取价格	暂无描述
MMBT5551-13	DIODES	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTI

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