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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 0.62 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.6 A | 集电极-发射极最大电压： | 160 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 50 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.3 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| MMBT5551-TP-HF | MCC |
完全替代  |
暂无描述 |
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| MMBT5551-7-F | DIODES |
功能相似 |
NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
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| MMBT5551LT1G | ONSEMI |
功能相似 |
High Voltage Transistors |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MMBT5551-TP-HF | MCC |
获取价格 |
暂无描述 |
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| MMBT5551W | SECOS |
获取价格 |
Plastic-Encapsulate Transistor |
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| MMBT5551W | SWST |
获取价格 |
小信号晶体管 |
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| MMBT5551W | FOSHAN |
获取价格 |
SOT-323 |
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| MMBT5551WT1 | WILLAS |
获取价格 |
DUAL NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
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| MMBT5551-X-AE3-6-R | UTC |
获取价格 |
HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR |
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| MMBT5551-X-AE3-R | UTC |
获取价格 |
HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR |
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| MMBT555XLT1 | WILLAS |
获取价格 |
High Voltage Transistors |
|
| MMBT56 | HDSEMI |
获取价格 |
SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors |
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| MMBT560 | BL Galaxy Electrical |
获取价格 |
450V,0.15A,General Purpose NPN Bipolar Transistor |
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