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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> MMBT5550LT1
MMBT5550LT1 PDF预览

MMBT5550LT1

更新时间： 2024-02-19 02:17:54
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体小信号双极晶体管开关光电二极管高压
页数 文件大小 规格书
6页 202K
描述
High Voltage Transistors(NPN Silicon)

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MMBT5550LT1 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：SOT-23包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：5 weeks
风险等级：0.95最大集电极电流 (IC)：0.6 A
集电极-发射极最大电压：140 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：20JEDEC-95代码：TO-236AB
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：NPN功耗环境最大值：0.225 W
最大功率耗散 (Abs)：0.225 W认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：200 MHzVCEsat-Max：0.25 V
Base Number Matches：1

MMBT5550LT1 数据手册

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by MMBT5550LT1/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
COLLECTOR  
3
NPN Silicon  
*Motorola Preferred Device  
1
BASE  
2
3
EMITTER  
MAXIMUM RATINGS  
1
Rating  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Symbol  
Value  
Unit  
Vdc  
2
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
140  
160  
6.0  
Vdc  
CASE 318–08, STYLE 6  
SOT–23 (TO–236AB)  
Emitter–Base Voltage  
Vdc  
Collector Current — Continuous  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
I
600  
mAdc  
C
Symbol  
Max  
Unit  
(1)  
Total Device Dissipation FR–5 Board  
P
225  
mW  
D
T
= 25°C  
A
Derate above 25°C  
1.8  
556  
300  
mW/°C  
°C/W  
mW  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Total Device Dissipation  
R
JA  
D
P
(2)  
Alumina Substrate,  
T
A
= 25°C  
Derate above 25°C  
2.4  
417  
mW/°C  
°C/W  
°C  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Junction and Storage Temperature  
DEVICE MARKING  
R
JA  
T , T  
J stg  
–55 to +150  
MMBT5550LT1 = M1F; MMBT5551LT1 = G1  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
(3)  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
V
Vdc  
(BR)CEO  
(I = 1.0 mAdc, I = 0)  
MMBT5550  
MMBT5551  
140  
160  
—
—
C
B
Collector–Base Breakdown Voltage  
(I = 100 Adc, I = 0)  
V
Vdc  
Vdc  
(BR)CBO  
MMBT5550  
MMBT5551  
160  
180  
—
—
C
E
Emitter–Base Breakdown Voltage  
(I = 10 Adc, I = 0)  
V
(BR)EBO  
6.0  
—
E
C
Collector Cutoff Current  
I
CBO  
(V  
CB  
(V  
CB  
(V  
CB  
(V  
CB  
= 100 Vdc, I = 0)  
MMBT5550  
MMBT5551  
MMBT5550  
MMBT5551  
—
—
—
—
100  
50  
100  
50  
nAdc  
E
= 120 Vdc, I = 0)  
E
= 100 Vdc, I = 0, T = 100°C)  
µAdc  
E
A
A
= 120 Vdc, I = 0, T = 100°C)  
E
Emitter Cutoff Current  
(V = 4.0 Vdc, I = 0)  
I
nAdc  
EBO  
—
50  
EB  
1. FR–5 = 1.0  
C
0.75 0.062 in.  
2. Alumina = 0.4 0.3 0.024 in. 99.5% alumina.  
3. Pulse Test: Pulse Width = 300 s, Duty Cycle = 2.0%.  
Thermal Clad is a trademark of the Bergquist Company  
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
Motorola, Inc. 1996
123456

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