5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 0.62 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.6 A | 集电极-发射极最大电压： | 160 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 50 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.3 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MMBT5551/S62Z | TI |
获取价格 |
200mA, 160V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
|
| MMBT5551_07 | DIOTEC |
获取价格 |
Surface Mount General Purpose Si-Epi-Planar Transistors |
|
| MMBT5551_08 | DIODES |
获取价格 |
NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
|
| MMBT5551_1 | DIODES |
获取价格 |
NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
|
| MMBT5551_10 | UTC |
获取价格 |
HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR |
|
| MMBT5551_11 | MCC |
获取价格 |
NPN Plastic Encapsulate Transistor |
|
| MMBT5551_15 | KEXIN |
获取价格 |
NPN Transistors |
|
| MMBT5551_15 | UTC |
获取价格 |
HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR |
|
| MMBT5551_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| MMBT5551-13 | DIODES |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTI |
|
MMBT5551资料手册解读：电气参数、替换型号推荐
BSS138LT3G：一款高效能N沟道MOSFET的全面解析
解读EGP10B二极管资料手册：产品特性、参数分析
RT9164AGG手册资料详解：引脚信息、设计指南
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
