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MMBT5551

更新时间： 2024-02-17 05:49:51

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金誉半导体 - HTSEMI		晶体晶体管光电二极管放大器
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2页	1555K
描述
TRANSISTOR(NPN)

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MMBT5551 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	0.62
最大集电极电流 (IC)：	0.6 A	集电极-发射极最大电压：	160 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	50
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	Base Number Matches：	1

MMBT5551 数据手册

MMBT5551

TRANSISTOR(NPN)

SOT–23

FEATURES

Complementary to MMBT5401

Ideal for Medium Power Amplification and Switching

1. BASE

MARKING: G1

2. EMITTER

3. COLLECTOR

MAXIMUM RATINGS (T_a=25℃ unless otherwise noted)

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Parameter

Value

Unit

Collector-Base Voltage

180

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

160

Collector Current

600

℃/W

℃

P_C

Collector Power Dissipation

Thermal Resistance From Junction To Ambient

Junction Temperature

300

R_ΘJA

T_j

416

150

T_stg

Storage Temperature

-55～+150

℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_a=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test

conditions

Min

Typ

Max

Unit

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

V_(BR)CBO

I_C=100µA, I_E=0

180

160

V_(BR)CEO

I_C=1mA, I_B=0

V_(BR)EBO

I_CBO

I_E=10µA, I_C=0

V_CB=120V, I_E=0

Emitter cut-off current

I_EBO

V_EB=4V, I_C=0

h_FE(1)

V_CE=5V, I_C=1mA

V_CE=5V, I_C=10mA

V_CE=5V, I_C=50mA

I_C=10mA, I_B=1mA

I_C=50mA, I_B=5mA

I_C=10mA, I_B=1mA

I_C=50mA, I_B=5mA

V_CE=10V,I_C=10mA, f=100MHz

V_CB=10V, I_E=0, f=1MHz

100

DC current gain

h_FE(2)

300

h_FE(3)

V_CE(sat)1

0.15

0.2

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

V_CE(sat)2

V_BE(sat)1

V_BE(sat)2

Transition frequency

f_T

100

300

MHz

Collector output capacitance

C_ob

*Pulse test: pulse width ≤300μs, duty cycle≤ 2.0%.

CLASSIFICATION OF h_{FE (2)}

RANK

RANGE

100-200

200-300

JinYu

semiconductor

www.htsemi.com

Date:2011/05

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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