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MMBT5551

更新时间： 2024-01-02 21:14:01

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德欧泰克 - DIOTEC		晶体晶体管光电二极管放大器
页数	文件大小	规格书
2页	98K
描述
Surface Mount General Purpose Si-Epi-Planar Transistors

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MMBT5551 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	0.62
最大集电极电流 (IC)：	0.6 A	集电极-发射极最大电压：	160 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	50
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	Base Number Matches：	1

MMBT5551 数据手册

MMBT5550 / MMBT5551

Surface Mount General Purpose Si-Epi-Planar Transistors

Si-Epi-Planar Universaltransistoren für die Oberflächenmontage

NPN

Version 2006-05-09

Power dissipation – Verlustleistung

250 mW

2.9^±0.1

1.1

Plastic case

Kunststoffgehäuse

SOT-23

(TO-236)

0.4

Type

Code

Weight approx. – Gewicht ca.

0.01 g

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

1.9

Standard packaging taped and reeled

Standard Lieferform gegurtet auf Rolle

Dimensions - Maße [mm]

1 = B 2 = E 3 = C

Maximum ratings (T_A= 25°C)

Grenzwerte (T_A= 25°C)

MMBT5550

MMBT5551

160 V

Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung

Collector-Base-voltage – Kollektor-Basis-Spannung

Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung

Power dissipation – Verlustleistung

B open

E open

C open

V_CEO

V_CBO

V_EBO

P_tot

140 V

160 V

180 V

6 V

250 mW ¹)

Collector current – Kollektorstrom (dc)

I_C

600 mA

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

T_j

T_S

-55...+150°C

-55…+150°C

Characteristics (T_j= 25°C)

Kennwerte (T_j= 25°C)

Min.

Typ.

Max.

DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis ²)

I_C= 1 mA, V_CE= 5 V

MMBT5550

MMBT5551

h_FE

–

I_C= 10 mA, V_CE= 5 V

I_C= 50 mA, V_CE= 5 V

MMBT5550

MMBT5551

h_FE

–

250

MMBT5550

MMBT5551

h_FE

–

Collector-Emitter saturation voltage – Kollektor-Emitter-Sättigungsspg. ²)

I_C= 10 mA, I_B= 1 mA

MMBT5550

MMBT5551

V_CEsat

–

0.15 V

I_C= 50 mA, I_B= 5 mA

MMBT5550

MMBT5551

V_CEsat

–

0.25 V

0.20 V

Mounted on P.C. board with 3 mm²copper pad at each terminal

Montage auf Leiterplatte mit 3 mm²Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss

Tested with pulses t_p= 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen t_p= 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%

http://www.diotec.com/

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与MMBT5551相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
MMBT5551/S62Z	TI	200mA, 160V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB	获取价格
MMBT5551_07	DIOTEC	Surface Mount General Purpose Si-Epi-Planar Transistors	获取价格
MMBT5551_08	DIODES	NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR	获取价格
MMBT5551_1	DIODES	NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR	获取价格
MMBT5551_10	UTC	HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR	获取价格
MMBT5551_11	MCC	NPN Plastic Encapsulate Transistor	获取价格

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