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MMBT5551

更新时间： 2024-01-22 21:13:31

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安森美 - ONSEMI		晶体晶体管光电二极管放大器
页数	文件大小	规格书
6页	101K
描述
High Voltage Transistors

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MMBT5551 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	0.62
最大集电极电流 (IC)：	0.6 A	集电极-发射极最大电压：	160 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	50
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	Base Number Matches：	1

MMBT5551 数据手册

MMBT5550LT1,

MMBT5551LT1

MMBT5551LT1 is a Preferred Device

High Voltage Transistors

NPN Silicon

http://onsemi.com

Features

• Pb−Free Packages are Available

COLLECTOR

MAXIMUM RATINGS

Rating

Collector−Emitter Voltage

Collector−Base Voltage

Emitter−Base Voltage

Symbol 5550 5551

Unit

Vdc

BASE

CEO

CBO

EBO

140

160

180

Vdc

6.0

Vdc

EMITTER

Collector Current − Continuous

600

mAdc

MARKING

DIAGRAM

Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.

Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not

normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits

are exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur

and reliability may be affected.

xxxM

SOT−23 (TO−236)

CASE 318

THERMAL CHARACTERISTICS

STYLE 6

Characteristic

Symbol

Max

Unit

xxx = MMBT550LT1 = M1F,

Total Device Dissipation

FR−5 Board (Note 1)

225

MMBT5551LT1, LT3, LT1G = G1

T = 25°C

Derate Above 25°C

= Month Code

1.8

mW/°C

°C/W

Thermal Resistance,

Junction−to−Ambient

556

ORDERING INFORMATION

†

Device

Shipping

Package

Total Device Dissipation

300

Alumina Substrate (Note 2)

MMBT5550LT1

MMBT5550LT1G

3000 Tape & Reel

SOT−23

T = 25°C

Derate Above 25°C

2.4

mW/°C

°C/W

SOT−23

(Pb−Free)

Thermal Resistance,

Junction−to−Ambient

417

MMBT5551LT1

3000 Tape & Reel

SOT−23

MMBT5551LT1G

SOT−23

(Pb−Free)

Junction and Storage Temperature

T , T

−55 to +150

°C

stg

1. FR−5 = 1.0 ꢀ 0.75 ꢀ 0.062 in.

2. Alumina = 0.4 ꢀ 0.3 ꢀ 0.024 in. 99.5% alumina.

MMBT5551LT3

10,000 Tape & Reel

SOT−23

MMBT5551LT3G

SOT−23

(Pb−Free)

†For information on tape and reel specifications,

including part orientation and tape sizes, please

refer to our Tape and Reel Packaging Specifications

Brochure, BRD8011/D.

Preferred devices are recommended choices for future use

and best overall value.

Semiconductor Components Industries, LLC, 2004

Publication Order Number:

December, 2004 − Rev. 4

MMBT5550LT1/D

12 3 4 5 6

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与MMBT5551相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
MMBT5551/S62Z	TI	200mA, 160V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB	获取价格
MMBT5551_07	DIOTEC	Surface Mount General Purpose Si-Epi-Planar Transistors	获取价格
MMBT5551_08	DIODES	NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR	获取价格
MMBT5551_1	DIODES	NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR	获取价格
MMBT5551_10	UTC	HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR	获取价格
MMBT5551_11	MCC	NPN Plastic Encapsulate Transistor	获取价格

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