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MMBT5551

更新时间： 2024-11-17 22:54:43
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管光电二极管放大器
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6页 101K
描述
High Voltage Transistors

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MMBT5551 数据手册

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MMBT5550LT1,  
MMBT5551LT1  
MMBT5551LT1 is a Preferred Device  
High Voltage Transistors  
NPN Silicon  
http://onsemi.com  
Features  
• Pb−Free Packages are Available  
COLLECTOR  
3
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Collector−Emitter Voltage  
Collector−Base Voltage  
Emitter−Base Voltage  
Symbol 5550 5551  
Unit  
Vdc  
1
BASE  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
140  
160  
160  
180  
Vdc  
2
6.0  
Vdc  
EMITTER  
Collector Current − Continuous  
I
C
600  
mAdc  
MARKING  
DIAGRAM  
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.  
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not  
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits  
are exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur  
and reliability may be affected.  
xxxM  
SOT−23 (TO−236)  
CASE 318  
THERMAL CHARACTERISTICS  
STYLE 6  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
xxx = MMBT550LT1 = M1F,  
Total Device Dissipation  
FR−5 Board (Note 1)  
P
D
225  
mW  
MMBT5551LT1, LT3, LT1G = G1  
T = 25°C  
Derate Above 25°C  
M
= Month Code  
A
1.8  
mW/°C  
°C/W  
Thermal Resistance,  
Junction−to−Ambient  
R
556  
q
JA  
ORDERING INFORMATION  
†
Device  
Shipping  
Package  
Total Device Dissipation  
P
D
300  
mW  
Alumina Substrate (Note 2)  
MMBT5550LT1  
MMBT5550LT1G  
3000 Tape & Reel  
3000 Tape & Reel  
SOT−23  
T = 25°C  
A
Derate Above 25°C  
2.4  
mW/°C  
°C/W  
SOT−23  
(Pb−Free)  
Thermal Resistance,  
Junction−to−Ambient  
R
417  
q
JA  
MMBT5551LT1  
3000 Tape & Reel  
3000 Tape & Reel  
SOT−23  
MMBT5551LT1G  
SOT−23  
(Pb−Free)  
Junction and Storage Temperature  
T , T  
J
−55 to +150  
°C  
stg  
1. FR−5 = 1.0 ꢀ 0.75 ꢀ 0.062 in.  
2. Alumina = 0.4 ꢀ 0.3 ꢀ 0.024 in. 99.5% alumina.  
MMBT5551LT3  
10,000 Tape & Reel  
10,000 Tape & Reel  
SOT−23  
MMBT5551LT3G  
SOT−23  
(Pb−Free)  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
Preferred devices are recommended choices for future use  
and best overall value.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2004  
1
Publication Order Number:  
December, 2004 − Rev. 4  
MMBT5550LT1/D  
 
123456

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MMBT5551 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
KST5551MTF ONSEMI

完全替代

 NPN外延硅晶体管
MMBT5551LT3G ONSEMI

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 High Voltage Transistors
MMBT5551LT1G ONSEMI

类似代替

 High Voltage Transistors

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MMBT5551/S62Z TI

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 		200mA, 160V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBT5551_07 DIOTEC

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MMBT5551_10 UTC

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 		暂无描述
MMBT5551-13 DIODES

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTI

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