是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Active |
零件包装代码: | SOT-23 | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | Factory Lead Time: | 4 weeks |
风险等级: | 0.48 | Samacsys Confidence: | 3 |
Samacsys Status: | Released | Samacsys PartID: | 225773 |
Samacsys Pin Count: | 3 | Samacsys Part Category: | Transistor |
Samacsys Package Category: | SOT23 (3-Pin) | Samacsys Footprint Name: | SOT-23 (TO-236) CASE 318-08 |
Samacsys Released Date: | 2015-08-13 08:46:53 | Is Samacsys: | N |
最大集电极电流 (IC): | 0.6 A | 集电极-发射极最大电压: | 160 V |
配置: | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE): | 30 |
JEDEC-95代码: | TO-236 | JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
最高工作温度: | 150 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
功耗环境最大值: | 0.225 W | 最大功率耗散 (Abs): | 0.225 W |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | VCEsat-Max: | 0.2 V |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
SMMBT5551LT1G | ONSEMI |
类似代替 |
High Voltage Transistors | |
MMBT5551LT1G | ONSEMI |
类似代替 |
High Voltage Transistors | |
MMBT5551 | ONSEMI |
类似代替 |
High Voltage Transistors |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MMBT5551L-X-AE3-6-R | UTC |
获取价格 |
HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR | |
MMBT5551L-X-AE3-R | UTC |
获取价格 |
HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR | |
MMBT5551M3T5G | ONSEMI |
获取价格 |
NPN High Voltage Transistor | |
MMBT5551Q | DIODES |
获取价格 |
NPN, 160V, 0.6A, SOT23 | |
MMBT5551Q | YANGJIE |
获取价格 |
SOT-23 | |
MMBT5551S | SWST |
获取价格 |
小信号晶体管 | |
MMBT5551T | FOSHAN |
获取价格 |
SOT-89 | |
MMBT5551-TP | MCC |
获取价格 |
PNP Plastic Encapsulate Transistor | |
MMBT5551-TP-HF | MCC |
获取价格 |
暂无描述 | |
MMBT5551W | SECOS |
获取价格 |
Plastic-Encapsulate Transistor |