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MMBT5658AM

更新时间： 2024-09-08 19:46:35

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固锝 - GOOD-ARK		/
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4页	383K
描述
Small Signal Bipolar Transistor,

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MMBT5658AM 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.75	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

MMBT5658AM 数据手册

MMBT5658AM

NPN Transistor

Features

■

Low C_Ob

■

Complementery PNP available

■ SOT-723 plastic-encapsulate package

SOT-723

■

RoHS compliant

1. BASE

2. EMITTER

3. COLLECTOR

Applications

■

and Switching

Ideal for General Purpose Amplification

=25°C

Maximum Ratings (T_A

unless otherwise specified)

Rating

Parameter

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Symbol

Unit

V_CBO

V_CEO

Emitter-Base Voltage

V_EBO

I_C

Collector Current -Continuous

Collector Dissipation

150

°C

P_C

100

-55 to +150

T_J

Junction Temperature

Storage Temperature

T_STG

-55 to +150

Electrical Characteristics (T_A=25°C unless otherwise specified)

Parameter

Unit

Symbol

Test Conditions

I_C=50μA,I_E=0

Min

Typ

Max

Collector-Base Breakdown Voltage

Collector-Emitter Breakdown Voltage

Emitter-Base Breakdown Voltage

Collector Cut-off Current

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

I_C=1mA,I_B=0

I_E=50μA,I_C=0

V_CB=60V,I_E=0

0.1

560

0.4

μA

Emitter Cut-off Current

I_EBO

V_EB=7V,I_C=0

DC Current Transfer Ratio

Collector-Emitter Saturation Voltage

Transition Frequency

h_FE

V_CE=6V,I_C=1mA

I_C=50mA,I_B=5mA

V_CE=12V,I_C=2mA, f=100MHz

V_CB=12V,I_E=0, f=1MHz

120

V_CE(sat)

f_T

MHz

180

Output Capacitance

C_ob

3.5

Classification of h_FE

180 to 390

Rank

270 to 560

120 to 270

Range

Marking

1/4

12 3 4

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