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MMBT5771L99Z

更新时间： 2024-09-08 19:53:03

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	103K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 1-Element, Silicon, PNP

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MMBT5771L99Z 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.77	最大集电极电流 (IC)：	0.2 A
基于收集器的最大容量：	3 pF	集电极-发射极最大电压：	15 V
配置：	SINGLE	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

MMBT5771L99Z 数据手册

Discrete POWER & Signal

Technologies

2N5771

MMBT5771

TO-92

SOT-23

Mark: 3R

PNP Switching Transistor

This device is designed for very high speed saturate switching at

collector currents to 100 mA. Sourced from Process 65. See

PN4258 for characteristics.

Absolute Maximum Ratings*

TA = 25°C unless otherwise noted

Symbol

Parameter

Value

Units

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

4.5

Collector Current - Continuous

200

°C

Operating and Storage Junction Temperature Range

-55 to +150

T_J, T_stg

*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.

NOTES:

1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.

2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.

Thermal Characteristics

TA = 25°C unless otherwise noted

Symbol

Characteristic

Max

Units

2N5771

*MMBT5771

P_D

Total Device Dissipation

Derate above 25°C

Thermal Resistance, Junction to Case

350

2.8

125

225

1.8

mW/°C

°C/W

R_θ

Thermal Resistance, Junction to Ambient

357

556

R_θ

°C/W

*Device mounted on FR-4 PCB 1.6" X 1.6" X 0.06."

1997 Fairchild Semiconductor Corporation

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与MMBT5771L99Z相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MMBT5772	NSC	获取价格	TRANSISTOR,BJT,NPN,15V V(BR)CEO,300MA I(C),TO-236
MMBT5830	TI	获取价格	MMBT5830
MMBT5831	TI	获取价格	TRANSISTOR,BJT,NPN,140V V(BR)CEO,TO-236
MMBT5833	TI	获取价格	TRANSISTOR,BJT,NPN,180V V(BR)CEO,TO-236
MMBT5855	TI	获取价格	MMBT5855
MMBT5857	TI	获取价格	MMBT5857
MMBT589	HTSEMI	获取价格	TRANSISTOR(PNP)
MMBT589	BL Galaxy Electrical	获取价格	PNP General Purpose Transistor
MMBT589	SECOS	获取价格	General Purpose Transistor
MMBT589	LGE	获取价格	双极型晶体管