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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.92 | 配置： | Single |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 50 | JESD-609代码： | e0 |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.35 W |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| MMBT5855 | TI | MMBT5855 |
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| MMBT5857 | TI | MMBT5857 |
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| MMBT589 | HTSEMI | TRANSISTOR(PNP) |
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| MMBT589 | BL Galaxy Electrical | PNP General Purpose Transistor |
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| MMBT589 | SECOS | General Purpose Transistor |
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| MMBT589 | LGE | 双极型晶体管 |
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