生命周期: | Obsolete | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.77 | 最大集电极电流 (IC): | 0.2 A |
基于收集器的最大容量: | 3 pF | 集电极-发射极最大电压: | 15 V |
配置: | SINGLE | JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型: | PNP | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | YES | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MMBT5771-HIGH | TI |
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Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AA |
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MMBT5771L99Z | FAIRCHILD |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 1-Element, Silicon, PNP |
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MMBT5772 | NSC |
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TRANSISTOR,BJT,NPN,15V V(BR)CEO,300MA I(C),TO-236 |
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MMBT5830 | TI |
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MMBT5830 |
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MMBT5831 | TI |
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TRANSISTOR,BJT,NPN,140V V(BR)CEO,TO-236 |
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MMBT5833 | TI |
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TRANSISTOR,BJT,NPN,180V V(BR)CEO,TO-236 |
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MMBT5855 | TI |
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MMBT5855 |
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MMBT5857 | TI |
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MMBT5857 |
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MMBT589 | HTSEMI |
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TRANSISTOR(PNP) |
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MMBT589 | BL Galaxy Electrical |
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PNP General Purpose Transistor |
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