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MMBT589

更新时间： 2024-01-08 10:09:00

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金誉半导体 - HTSEMI		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	855K
描述
TRANSISTOR(PNP)

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MMBT589 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.73
最大集电极电流 (IC)：	1 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	100	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.31 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	Base Number Matches：	1

MMBT589 数据手册

MMBT589

TRANSISTOR(PNP)

SOT-23

FEATURES

High current surface mount PNP silicon switching transistor for

Load management in portable applications

1. BASE

2. EMITTER

MARKING :589

3. COLLECTOR

MAXIMUM RATINGS (T_A=25℃ unless otherwise noted)

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Parameter

Collector-Base Voltage

Value

-50

Units

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

-30

-5

Collector Current -Continuous

Collector Power Dissipation

Thermal Resistance, junction to Ambient

Junction Temperature

-1

P_C

310

403

150

-55-150

℃/W

℃

R_θJA

T_J

T_stg

Storage Temperature

℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test

conditions

MIN

-50

-30

-5

TYP

MAX

UNIT

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

V_(BR)CBOI_C=-100μA,I_E=0

V_(BR)CEOI_C=-10mA,I_B=0

V_(BR)EBOI_E=-100μA,I_C=0

I_CBO

I_CES

V_CB=-30V,I_E=0

V_CES=-30V

-0.1

μA

Collector-emitter cut-off current

Emitter cut-off current

I_EBO

V_EB=-4V,I_C=0

V_CE=-2V,I_C=-1mA

h_FE1

100

h_FE2

V_CE=-2V,I_C=-500mA

V_CE=-2V,I_C=-1A

300

DC current gain

h_FE3

h_FE4

V_CE=-2V,I_C=-2A

V_CE(sat)1

V_CE(sat)2

V_CE(sat)3

V_BE(sat)

V_BE(on)

I_C= -500mA, I_B=-50mA

I_C= -1A, I_B=-100mA

I_C= -2A, I_B=-200mA

I_C= -1A, I_B=-100mA

V_CE=-2V, I_C=-1A

-0.25

-0.3

Collector-emitter saturation voltage

-0.65

-1.2

Base-emitter saturation voltage

Base-emitter Turn-on voltage

-1.1

_CE=-5V, I_C=-100mA ,

Transition frequency

f_T

100

MHz

f =100MHz

f=1MHz

Collector Output Capacitance

Cob

JinYu

semiconductor

www.htsemi.com

Date:2011/05

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