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MMBT589

更新时间： 2024-09-08 12:20:19

品牌	Logo	应用领域
SECOS		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	288K
描述
General Purpose Transistor

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MMBT589 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.49
最大集电极电流 (IC)：	1 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	100	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.31 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	Base Number Matches：	1

MMBT589 数据手册

MMBT589

PNP Silicon

General Purpose Transistor

Elektronische Bauelemente

RoHS Compliant Product

A suffix of "-C" specifies halogen & lead-free

FEATURES

SOT-23

Min

Dim

Max

Emitter

2.800 3.040

1.200 1.400

0.890 1.110

0.370 0.500

1.780 2.040

0.013 0.100

0.085 0.177

0.450 0.600

0.890 1.020

2.100 2.500

0.450 0.600

Top View

Base

Collector

MAXIMUM RATINGS* T_A=25℃ unless otherwise noted

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Parameter

Collector-Base Voltage

Value

-50

Units

All Dimension in mm

Collector-Emitter Voltage

-30

Emitter-Base Voltage

-5

Collector Current -Continuous

Total Device Dissipation

-2

P_D

310

403

-55-150

℃/W

℃

R_θ

Thermal Resistance,junction to Ambient

Junction and Storage Temperature

T_J, T_stg

MARKING :589

ELECTRICAL CHARACTERISTICS（Tamb=25℃

unless otherwise specified）

Parameter

Symbol

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

Test

conditions

MIN

TYP

MAX

UNIT

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

Ic=-100µA,I_E=0

Ic=-10mA,I_B=0

-50

-30

-5

I_E=-100µA,I_C=0

V_CB=-30V,I_E=0

-0.1

µA

Collector-emitter cut-off current

Emitter cut-off current

I_CES

V_CES=-30V

I_EBO

V_EB=-4V,I_C=0

h_FE1

V_CE=-2V,I_C=-1mA

V_CE=-2V,I_C=-500mA

V_CE=-2V,I_C=-1A

V_CE=-2V,I_C=-2A

I_C= -500mA, I_B=-50 mA

I_C= -1A, I_B=-100 mA

I_C= -2A, I_B=-200 mA

I_C= -1A, I_B=-100 mA

100

h_FE2

300

DC current gain

h_FE3

h_FE4

V_CE(sat)1

V_CE(sat)2

V_CE(sat)3

V_BE(sat)

V_BE(on)

-0.25

-0.3

Collector-emitter saturation voltage

-0.65

-1.2

Base-emitter saturation voltage

Base-emitter Turn-on voltage

V_CE=-2V, I_C=-1A

V_CE=-5V, I_C=-100 mA ,

f =100MHz

-1.1

Transition frequency

f_T

100

MHz

Collector Output Capacitance

Cob

f=1MHZ

http://www.SeCoSGmbH.com

Any changing of specification will not be informed individual

01-Jun-2002 Rev. A

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12 3

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