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MMBT591A

更新时间： 2024-01-04 03:54:34

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商升特 - SEMTECH		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	157K
描述
PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor

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MMBT591A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.78
最大集电极电流 (IC)：	1 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	100	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.25 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
标称过渡频率 (fT)：	150 MHz	Base Number Matches：	1

MMBT591A 数据手册

MMBT591A

PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor

SOT-23 Plastic Package

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25 C)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

Collector Current

-V_CBO

-V_CEO

-V_EBO

-I_C

Peak Pulse Current

-I_CM

P_tot

200

Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature Range

T_J

150

T_S

- 65 to + 150

Characteristics at T_a= 25 C

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Unit

DC Current Gain

at -V_CE= 5 V, -I_C= 1 mA

at -V_CE= 5 V, -I_C= 100 mA

at -V_CE= 5 V, -I_C= 500 mA

at -V_CE= 5 V, -I_C= 1 A

h_FE

300

250

160

800

Collector Cutoff Current

at -V_CB= 30 V

-I_CBO

-I_CEO

-I_EBO

0.1

µA

Collector Cutoff Current

at -V_CE= 30 V

Emitter Cutoff Current

at -V_EB= 5 V

Collector Emitter Saturation Voltage

at -I_C= 100 mA, -I_B= 1 mA

at -I_C= 500 mA, -I_B= 20 mA

at -I_C= 1 A, -I_B= 100 mA

0.2

0.35

0.5

-V_CEsat

Base Emitter Saturation Voltage

at -I_C= 1 A, -I_B= 50 mA

Base Emitter Voltage

-V_BEsat

-V_BE

C_C

1.1

at -I_C= 1 A, -V_CE= 5 V

Collector Capacitance

at -V_CB= 10 V, f = 1 MHz

Gain Bandwidth Product

at -V_CE= 10 V, -I_C= 50 mA, f = 100 MHz

f_T

150

MHz

SEMTECH ELECTRONICS LTD.

(Subsidiary of Sino-Tech International Holdings Limited, a company

listed on the Hong Kong Stock Exchange, Stock Code: 724)

Dated : 21/09/2006

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