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MMBT589

更新时间： 2024-09-15 14:54:15

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鲁光 - LGE		双极型晶体管
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双极型晶体管

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MMBT589 技术参数

极性：	PNP	Collector-emitter breakdown voltage：	30
Collector Current - Continuous：	1	DC current gain - Min：	100
DC current gain - Max：	300	Transition frequency：	100
Package：	SOT-23	Storage Temperature Range：	-55-150
class：	Transistors

MMBT589 数据手册

MMBT589

PNP General Purpose Transistor

SOT-23

Min

FEATURES

Dim

Max

3.10

1.50

Epitaxial planar die construction.

2.70

Also available in lead free version.

1.10

1.0 Typical

0.4 Typical

APPLICATIONS

High current surface mount PNP silicon switching transistor

0.35

0.48

2.00

0.1

for load management in portable appilications.

1.80

0.02

0.1 Typical

2.20

2.60

ORDERING INFORMATION

All Dimensions in mm

Type No.

Marking

589

Package Code

SOT-23

MMBT589

MAXIMUM RATING @ Ta=25℃ unless otherwise specified

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Parameter

Value

UNIT

collector-base voltage

collector-emitter voltage

emitter-base voltage

-50

-30

-5

collector current (DC)

-1.0

I_CM

Collector Current-Peak

Collector dissipation

-2.0

P_C

0.31

403

R_θJA

T_j,T_stg

Thermal Resistance, Junction to Ambient

junction and storage temperature

°C/W

°C

-55 to +150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ Ta=25℃ unless otherwise specified

Symbol

Parameter

Test conditions

MIN. MAX. UNIT

V_(BR)CBO

Collector-base breakdown voltage

I_C=-100μA,I_E=0

-50

-30

-5

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

I_C=-10mA,I_B=0

I_E=-100μA,I_C=0

I_E= 0; V_CB= -30V

V_CES=-30V

-0.1

μA

I_CES

Collector-emitter cutoff current

Emitter cut-off current

I_EBO

I_C= 0; V_EB= -4V

μA

_CE= -2V; I_C= -1mA

100

V_CE= -2V;I_C= -500mA

V_CE= -2V;I_C= -1.0A

V_CE= -2V;I_C= -2.0A

300

h_FE

DC current gain

_C= -0.5A; I_B= -0.05A

-0.25

-0.30

-0.65

V_CE(sat)

collector-emitter saturation voltage

I_C= -1.0A; I_B= -0.1A

I_C= -2.0A; I_B= -0.2A

V_BE(sat)

V_BE(on)

base-emitter saturation voltage

Base-emitter Turn-on voltage

I_C= -1.0A; I_B= -0.1A

I_C=-1.0A,V_CE=-2.0V

-1.2

-1.1

_C= -100mA; V_CE= -5V;

f_T

transition frequency

Output capacitance

100

MHz

f = 100MHz

C_obo

f=1.0MHz

http://www.lgesemi.com

mail:lge@lgesemi.com

Revision:20170701-P1

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