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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.77 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.2 A |
| 基于收集器的最大容量： | 3 pF | 集电极-发射极最大电压： | 15 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 40 |
| JEDEC-95代码： | TO-236AB | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | PNP | 功耗环境最大值： | 0.225 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 700 MHz | 最大关闭时间（toff）： | 20 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 15 ns | VCEsat-Max： | 0.6 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MMBT5771_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 1-Element, Silicon, PNP, |
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| MMBT5771-1 | NSC |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,PNP,15V V(BR)CEO,TO-236 |
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| MMBT5771D87Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 1-Element, Silicon, PNP |
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| MMBT5771-HIGH | TI |
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Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AA |
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| MMBT5771L99Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 1-Element, Silicon, PNP |
|
| MMBT5772 | NSC |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,NPN,15V V(BR)CEO,300MA I(C),TO-236 |
|
| MMBT5830 | TI |
获取价格 |
MMBT5830 |
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| MMBT5831 | TI |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,NPN,140V V(BR)CEO,TO-236 |
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| MMBT5833 | TI |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,NPN,180V V(BR)CEO,TO-236 |
|
| MMBT5855 | TI |
获取价格 |
MMBT5855 |
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