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SMMBT5551LT1G

更新时间： 2024-11-19 01:17:27
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI PC开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 183K
描述
High Voltage Transistors

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SMMBT5551LT1G 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：1 week风险等级：0.48
Samacsys Confidence：3Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：227121Samacsys Pin Count：3
Samacsys Part Category：Transistor BJT NPNSamacsys Package Category：SOT23 (3-Pin)
Samacsys Footprint Name：SOT-23 (TO-236) CASE 318-08 ISSUE ARSamacsys Released Date：2015-09-14 02:28:24
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.6 A
集电极-发射极最大电压：160 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：30JEDEC-95代码：TO-236
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
功耗环境最大值：0.225 W最大功率耗散 (Abs)：0.225 W
参考标准：AEC-Q101表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
VCEsat-Max：0.2 VBase Number Matches：1

SMMBT5551LT1G 数据手册

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MMBT5550L, MMBT5551L  
High Voltage Transistors  
NPN Silicon  
Features  
• S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique  
Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and  
PPAP Capable  
www.onsemi.com  
COLLECTOR  
3
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS  
Compliant  
1
BASE  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
2
EMITTER  
Collector−Emitter Voltage  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
Vdc  
MMBT5550  
MMBT5551  
140  
160  
MARKING  
DIAGRAM  
3
Collector−Base Voltage  
Vdc  
MMBT5550  
MMBT5551  
160  
180  
1
2
x1x M G  
Emitter−Base Voltage  
6.0  
Vdc  
mAdc  
V
SOT−23 (TO−236)  
CASE 318  
G
Collector Current − Continuous  
Electrostatic Discharge  
I
C
600  
1
STYLE 6  
ESD  
Human Body Model  
Machine Model  
> 8000  
> 400  
x1x = Device Code  
M1F = MMBT5550LT  
G1 = MMBT5551LT  
= Date Code*  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
M
Symbol  
Max  
Unit  
G
= Pb−Free Package  
(Note: Microdot may be in either location)  
Total Device Dissipation FR−5 Board  
P
D
(Note 1) @T = 25°C  
225  
1.8  
mW  
mW/°C  
A
*Date Code orientation and/or overbar may  
vary depending upon manufacturing location.  
Derate Above 25°C  
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient  
Total Device Dissipation Alumina  
R
556  
°C/W  
q
JA  
P
D
Substrate (Note 2) @T = 25°C  
300  
2.4  
mW  
mW/°C  
ORDERING INFORMATION  
A
Derate Above 25°C  
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient  
Junction and Storage Temperature  
†
Device  
Package  
Shipping  
R
417  
°C/W  
°C  
q
JA  
MMBT5550LT1G  
SOT−23  
3,000 / Tape &  
Reel  
(Pb−Free)  
T , T  
−55 to +150  
J
stg  
MMBT5550LT3G  
MMBT5551LT1G  
SOT−23  
(Pb−Free)  
10,000 / Tape &  
Reel  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
1. FR−5 = 1.0 ꢀ 0.75 ꢀ 0.062 in.  
SOT−23  
(Pb−Free)  
3,000 / Tape &  
Reel  
2. Alumina = 0.4 ꢀ 0.3 ꢀ 0.024 in. 99.5% alumina.  
SMMBT5551LT1G SOT−23 3,000 / Tape & Reel  
(Pb−Free)  
MMBT5551LT3G  
SOT−23  
(Pb−Free)  
10,000 / Tape &  
Reel  
SMMBT5551LT3G SOT−23  
(Pb−Free)  
10,000 / Tape &  
Reel  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 1994  
1
Publication Order Number:  
October, 2016 − Rev. 12  
MMBT5550LT1/D  
 
123456

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SMMBT5551LT1G 替代型号

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