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SMMBT918LT1 PDF预览

SMMBT918LT1

更新时间： 2024-02-03 17:33:16
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 48K
描述
UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AF, CASE 318-08, 3 PIN

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SMMBT918LT1 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-236AF包装说明：CASE 318-08, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.08Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.05 A基于收集器的最大容量：3 pF
集电极-发射极最大电压：15 V配置：SINGLE
最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJEDEC-95代码：TO-236AF
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e0
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：240极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：600 MHzBase Number Matches：1

SMMBT918LT1 数据手册

 浏览型号SMMBT918LT1的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SMMBT918LT1的Datasheet PDF文件第3页 
MMBT918LT1  
VHF/UHF Transistor  
NPN Silicon  
Features  
• Pb−Free Package is Available  
http://onsemi.com  
COLLECTOR  
3
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
1
BASE  
Collector−Emitter Voltage  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
15  
Vdc  
Collector−Base Voltage  
30  
3.0  
50  
Vdc  
Vdc  
2
EMITTER  
Emitter−Base Voltage  
Collector Current − Continuous  
THERMAL CHARACTERISTICS  
I
mAdc  
C
3
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
1
Total Device Dissipation FR−5 Board,  
P
D
(Note 1) T = 25°C  
225  
1.8  
mW  
mW/°C  
A
2
Derate above 25°C  
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient  
R
q
JA  
556  
°C/W  
SOT−23 (TO−236)  
CASE 318  
Total Device Dissipation Alumina  
P
D
Substrate, (Note 2) T = 25°C  
300  
2.4  
mW  
mW/°C  
A
STYLE 6  
Derate above 25°C  
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient  
Junction and Storage Temperature  
R
417  
°C/W  
°C  
q
JA  
MARKING DIAGRAM  
T , T  
J
−55 to +150  
stg  
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.  
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not  
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are  
exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and  
reliability may be affected.  
1. FR−5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.  
2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina.  
M3B M G  
G
1
M3B = Device Code  
M
= Date Code*  
G
= Pb−Free Package  
(Note: Microdot may be in either location)  
*Date Code orientation and/or overbar may  
vary depending upon manufacturing location.  
ORDERING INFORMATION  
†
Device  
Package  
Shipping  
MMBT918LT1  
MMBT918LT1G  
SOT−23  
3000 / Tape & Reel  
3000 / Tape & Reel  
SOT−23  
(Pb−Free)  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2006  
1
Publication Order Number:  
January, 2006 − Rev. 5  
MMBT918LT1/D  
 
123

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与SMMBT918LT1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SMMBTA06LT1 ONSEMI

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 		500mA, 80V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, CASE 318-08, TO-236, 3 PIN
SMMBTA06LT1G ONSEMI

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