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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> SMMBTA06LT3G
SMMBTA06LT3G PDF预览

SMMBTA06LT3G

更新时间： 2024-02-27 00:42:04
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体小信号双极晶体管光电二极管驱动放大器PC
页数 文件大小 规格书
6页 114K
描述
Driver Transistors

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SMMBTA06LT3G 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：Active
零件包装代码：SOT-23包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：5 weeks
风险等级：0.51Samacsys Confidence：3
Samacsys Status：ReleasedSamacsys PartID：413183
Samacsys Pin Count：3Samacsys Part Category：Transistor BJT NPN
Samacsys Package Category：SOT23 (3-Pin)Samacsys Footprint Name：SOT?23 (TO?236)(Height=1.11mm)
Samacsys Released Date：2020-05-22 01:31:59Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.5 A集电极-发射极最大电压：80 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：100
JEDEC-95代码：TO-236JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.3 W参考标准：AEC-Q101
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHzBase Number Matches：1

SMMBTA06LT3G 数据手册

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MMBTA05L, MMBTA06L,  
SMMBTA06L  
Driver Transistors  
NPN Silicon  
http://onsemi.com  
Features  
• S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique  
Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and  
PPAP Capable  
COLLECTOR  
3
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS  
1
Compliant  
BASE  
2
EMITTER  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
3
Collector−Emitter Voltage  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
Vdc  
MMBTA05LT1  
60  
80  
1
MMBTA06LT1, SMMBTA06LT1  
2
Collector−Base Voltage  
MMBTA05LT1  
Vdc  
SOT−23  
CASE 318  
STYLE 6  
60  
80  
MMBTA06LT1, SMMBTA06LT1  
Emitter−Base Voltage  
4.0  
Vdc  
Collector Current − Continuous  
Electrostatic Discharge  
I
500  
mAdc  
C
MARKING DIAGRAMS  
ESD  
HBM Class 3B  
MM Class C  
CDM Class IV  
1H M G  
1GM M G  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
G
G
Symbol  
Max  
Unit  
Total Device Dissipation FR−5  
P
225  
mW  
D
MMBTA05LT1  
MMBTA06LT1,  
SMMBTA06L  
Board (Note 1) T = 25°C  
A
Derate above 25°C  
1.8  
mW/°C  
°C/W  
1H, 1GM = Specific Device Code  
Thermal Resistance,  
Junction−to−Ambient  
R
556  
M
G
= Date Code*  
= Pb−Free Package  
q
JA  
(Note: Microdot may be in either location)  
Total Device Dissipation Alumina  
P
D
300  
mW  
*Date Code orientation and/or overbar may  
vary depending upon manufacturing location.  
Substrate, (Note 2) T = 25°C  
Derate above 25°C  
A
2.4  
mW/°C  
°C/W  
Thermal Resistance,  
R
417  
q
JA  
Junction−to−Ambient  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 5 of this data sheet.  
Junction and Storage Temperature  
T , T  
−55 to +150  
°C  
J
stg  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. FR−5 = 1.0 ꢀ 0.75 ꢀ 0.062 in.  
2. Alumina = 0.4 ꢀ 0.3 ꢀ 0.024 in. 99.5% alumina.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2012  
1
Publication Order Number:  
July, 2012 − Rev. 8  
MMBTA05LT1/D  
 
123456

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SMMBTA06LT3G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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 		Darlington Amplifier Transistors
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 		High Voltage Transistors
SMMBTA42LT1 ONSEMI

获取价格

 		50mA, 300V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, CASE 318-08, 3 PIN

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