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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| Factory Lead Time： | 4 weeks | 风险等级： | 5.09 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 0.6 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 160 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 | JEDEC-95代码： | TO-236 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 0.225 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.225 W |
| 参考标准： | AEC-Q101 | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| VCEsat-Max： | 0.2 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| SMMBT5551LT1G | ONSEMI |
类似代替  |
High Voltage Transistors |
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| MMBT5551LT3G | ONSEMI |
类似代替 |
High Voltage Transistors |
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| MMBT5551LT1G | ONSEMI |
类似代替 |
High Voltage Transistors |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SMMBT6427LT1G | ONSEMI |
获取价格 |
NPN 双极达林顿晶体管 |
|
| SMMBT6521LT1G | ONSEMI |
获取价格 |
NPN 双极小信号晶体管 |
|
| SMMBT918LT1 | ONSEMI |
获取价格 |
UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AF, CASE 318-08, 3 PIN |
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| SMMBTA06LT1 | ONSEMI |
获取价格 |
500mA, 80V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, CASE 318-08, TO-236, 3 PIN |
|
| SMMBTA06LT1G | ONSEMI |
获取价格 |
Driver Transistors |
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| SMMBTA06LT3G | ONSEMI |
获取价格 |
Driver Transistors |
|
| SMMBTA06W | ONSEMI |
获取价格 |
Driver Transistor |
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| SMMBTA06WT1G | ONSEMI |
获取价格 |
Driver Transistor |
|
| SMMBTA06WT3G | ONSEMI |
获取价格 |
Driver Transistor |
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| SMMBTA13L | ONSEMI |
获取价格 |
Darlington Amplifier Transistors |
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