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Datasheet > 暂无类别数据> MMBT5551-TP-HF
MMBT5551-TP-HF PDF预览

MMBT5551-TP-HF

更新时间： 2024-02-27 12:42:52
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 晶体晶体管光电二极管放大器
页数 文件大小 规格书
2页 161K
描述
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MMBT5551-TP-HF 数据手册

 浏览型号MMBT5551-TP-HF的Datasheet PDF文件第2页 
M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
MMBT5551  
Micro Commercial Components  
Features  
NPN Plastic  
Encapsulate  
Transistor  
•
•
•
Collector Current: ICM=0.6A  
Collector-Base Voltage: V(BR)CBO=180V  
Operating And Storage Temperatures –55OC to 150OC  
•
•
·
Capable of 0.3Watts of Power Dissipation  
Marking: G1  
Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates  
RoHS Compliant. See ordering information)  
SOT-23  
·
·
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
Moisure Sensitivity Level 1  
A
D
Electrical Characteristics @ 25OC Unless Otherwise Specified  
C
Symbol  
Parameter  
Min  
Max  
Units  
B
C
OFF CHARACTERISTICS  
V(BR)CEO  
V(BR)CBO  
V(BR)EBO  
ICBO  
Collector -Emitter Breakdown Voltage  
160  
180  
6.0  
---  
---  
---  
Vdc  
Vdc  
E
B
(I =1.0mAdc, IB=0)  
C
F
E
Collector-Base Breakdown Voltage  
(IC=100uAdc, IE=0)  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
(IE=10uAdc, IC=0)  
Collector Cutoff Current  
(VCB=120Vdc, IE=0)  
Emitter Cutoff Current  
(VEB=4.0Vdc, IC=0)  
---  
Vdc  
G
H
J
0.1  
0.1  
uAdc  
uAdc  
K
IEBO  
---  
DIMENSIONS  
INCHES  
MM  
ON CHARACTERISTICS  
hFE-1  
DIM  
A
B
C
D
E
MIN  
MAX  
MIN  
2.80  
2.10  
1.20  
.89  
1.78  
.45  
.013  
MAX  
NOTE  
.110  
.083  
.047  
.035  
.070  
.018  
.120  
.098  
.055  
.041  
.081  
.024  
.0039  
.044  
.007  
.020  
3.04  
2.64  
1.40  
1.03  
2.05  
.60  
.100  
1.12  
.180  
.51  
DC Current Gain  
80  
100  
50  
---  
200  
---  
---  
---  
---  
(VCE=5.0Vdc, I =1.0mAdc)  
C
hFE-2  
DC Current Gain  
(VCE=5.0Vdc, I =10mAdc)  
C
F
hFE-3  
DC Current Gain  
G
H
J
.0005  
.035  
.003  
.015  
(VCE=5.0Vdc, I =50mAdc)  
C
.89  
.085  
.37  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
K
(I =50mAdc, IB=5.0mAdc)  
0.5  
1.0  
Vdc  
Vdc  
---  
---  
C
Suggested Solder  
Pad Layout  
Base-Emitter Saturation Voltage  
(I =50mAdc,IB=5.0mAdc)  
C
SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS  
.031  
.800  
fT  
Current Gain-Bandwidth Product  
(I =10mAdc, VCE=5.0Vdc, f=30MHz)  
100  
---  
MHz  
.035  
.900  
C
inches  
mm  
.079  
2.000  
.037  
.950  
.037  
.950  
www.mccsemi.com  
1 of 2  
Revision: A  
2011/01/01  
12

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MMBT5551-TP-HF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MMBT5551-TP MCC

完全替代

 PNP Plastic Encapsulate Transistor
MMBT5551 DIOTEC

类似代替

 Surface Mount General Purpose Si-Epi-Planar Transistors
MMBT5551-7-F DIODES

类似代替

 NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR

与MMBT5551-TP-HF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MMBT5551W SECOS

获取价格

 		Plastic-Encapsulate Transistor
MMBT5551W SWST

获取价格

 		小信号晶体管
MMBT5551W FOSHAN

获取价格

 		SOT-323
MMBT5551WT1 WILLAS

获取价格

 		DUAL NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
MMBT5551-X-AE3-6-R UTC

获取价格

 		HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR
MMBT5551-X-AE3-R UTC

获取价格

 		HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR
MMBT555XLT1 WILLAS

获取价格

 		High Voltage Transistors
MMBT56 HDSEMI

获取价格

 		SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors
MMBT560 BL Galaxy Electrical

获取价格

 		450V,0.15A,General Purpose NPN Bipolar Transistor
MMBT5658AM GOOD-ARK

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor,

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