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MMBT5551S

更新时间： 2024-11-19 14:52:43

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先科 - SWST		晶体管
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5页	1067K
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小信号晶体管

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MMBT5551S 数据手册

MMBT5551S

NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor

Features

• Low Collector Emitter Saturation Voltage

Applications

1.Base 2.Emitter 3.Collector

SOT-23 Plastic Package

• High voltage amplifier applications.

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25

Parameter

)

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Value

180

Unit

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

Collector Current

160

600

Power Dissipation

P_tot

350

Junction Temperature

Storage Temperature Range

T_j

150

T_stg

- 55 to +150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

357

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ¹⁾

¹⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad layout.

1 / 5

Dated: 28/04/2022 Rev: 01

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