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MMBT5551W

更新时间： 2024-11-19 14:54:11

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先科 - SWST		晶体管
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5页	822K
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小信号晶体管

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MMBT5551W 数据手册

MMBT5551W

NPN Silicon Epitaxial Planar Transistors

Applications

• For high voltage amplifier

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25 C)

Parameter

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Value

Unit

180

160

600

Collector Current

Power Dissipation

P_tot

200

Junction Temperature

Storage Temperature Range

T_j

150

T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

625

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ¹⁾

¹⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad layout.

Dated：21/02/2023 Rev：03

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