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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> MMBT5551M3T5G
MMBT5551M3T5G PDF预览

MMBT5551M3T5G

更新时间： 2024-01-27 03:28:04
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体小信号双极晶体管光电二极管高压
页数 文件大小 规格书
5页 152K
描述
NPN High Voltage Transistor

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MMBT5551M3T5G 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：4 weeks风险等级：1.49
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.06 A
集电极-发射极最大电压：160 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：30JESD-30 代码：R-PDSO-F3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：NPN
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

MMBT5551M3T5G 数据手册

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MMBT5551M3T5G  
NPN High Voltage  
Transistor  
The MMBT5551M3T5G device is a spin−off of our popular  
SOT−23 three−leaded device. It is designed for general purpose high  
voltage applications and is housed in the SOT−723 surface mount  
package. This device is ideal for low−power surface mount  
applications where board space is at a premium.  
http://onsemi.com  
Features  
COLLECTOR  
3
• Reduces Board Space  
• This is a Halide−Free Device  
• This is a Pb−Free Device  
1
BASE  
MAXIMUM RATINGS  
2
EMITTER  
Rating  
Collector−Emitter Voltage  
Collector−Base Voltage  
Emitter−Base Voltage  
Symbol Value  
Unit  
Vdc  
V
V
160  
180  
6.0  
60  
CEO  
CBO  
Vdc  
V
Vdc  
EBO  
MARKING  
DIAGRAM  
Collector Current − Continuous  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
I
C
mAdc  
3
SOT−723  
CASE 631AA  
STYLE 1  
AH M  
Symbol  
Max  
Unit  
2
Total Device Dissipation  
P
D
mW  
1
265  
2.1  
FR−5 Board (Note 1)  
AH  
M
= Specific Device Code  
= Date Code  
mW/°C  
T = 25°C  
A
Derate above 25°C  
Thermal Resistance,  
R
q
JA  
470  
°C/W  
Junction−to−Ambient  
Total Device Dissipation  
Alumina Substrate, (Note 2) T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
640  
5.1  
mW  
mW/°C  
°C/W  
D
ORDERING INFORMATION  
A
†
Device  
Package  
Shipping  
Thermal Resistance,  
Junction−to−Ambient  
R
q
195  
JA  
MMBT5551M3T5G  
SOT−723 8000/Tape & Reel  
(Pb−Free)  
Junction and Storage Temperature  
T , T  
−55 to  
°C  
J
stg  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
+150  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. FR−5 = 1.0 ꢀ 0.75 ꢀ 0.062 in.  
2. Alumina = 0.4 ꢀ 0.3 ꢀ 0.024 in. 99.5% alumina.  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2009  
1
Publication Order Number:  
January, 2009 − Rev. 0  
MMBT5551M3/D  
 
12345

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