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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | SOT-23 | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| Factory Lead Time： | 1 week | 风险等级： | 0.68 |
| 其他特性： | LOW NOISE | 最大集电极电流 (IC)： | 0.2 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 45 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 500 | JEDEC-95代码： | TO-236AB |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.225 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| NSVMMBT6429LT1G | ONSEMI |
类似代替  |
NPN 双极晶体管 |
|
| MMBT6429LT1 | ONSEMI |
类似代替 |
Amplifier Transistors(NPN Silicon) |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MMBT6429LT3 | ONSEMI |
获取价格 |
200mA, 45V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, CASE 318-08, 3 PIN |
|
| MMBT6472LT1 | LRC |
获取价格 |
Darlington Transistors(NPN Silicon) |
|
| MMBT6515 | FAIRCHILD |
获取价格 |
NPN General Purpose Amplifier |
|
| MMBT6515 | NSC |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,NPN,25V V(BR)CEO,TO-236VAR |
|
| MMBT6515 | ONSEMI |
获取价格 |
NPN通用放大器 |
|
| MMBT6515_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236A |
|
| MMBT6515D87Z | TI |
获取价格 |
NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
|
| MMBT6515L99Z | TI |
获取价格 |
NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
|
| MMBT6515S62Z | TI |
获取价格 |
NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
|
| MMBT6517 | KEXIN |
获取价格 |
High Voltage Transistors |
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