是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | SOT-23 |
包装说明: | HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 318-08, TO-236, 3 PIN | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.24 |
最大集电极电流 (IC): | 0.5 A | 集电极-发射极最大电压: | 350 V |
配置: | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE): | 15 |
JEDEC-95代码: | TO-236AB | JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | NOT SPECIFIED |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | PNP | 认证状态: | COMMERCIAL |
表面贴装: | YES | 端子面层: | MATTE TIN |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称过渡频率 (fT): | 40 MHz |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MMBT6520LT1G | ONSEMI |
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High Voltage Transistor | |
MMBT6520LT3 | ONSEMI |
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高压 PNP 双极晶体管 | |
MMBT6520LT3G | ONSEMI |
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High Voltage Transistor | |
MMBT6521 | TI |
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TRANSISTOR,BJT,NPN,25V V(BR)CEO,TO-236 | |
MMBT6521LT1 | ONSEMI |
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Amplifier Transistor NPN Silicon | |
MMBT6521LT1G | ONSEMI |
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Amplifier Transistor NPN Silicon | |
MMBT6589T1 | ONSEMI |
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High Current Surface Mount PNP Silicon Switching Transistor for Switching Transistor for P | |
MMBT6589T1G | ONSEMI |
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High Current Surface Mount PNP Silicon Switching Transistor for Switching Transistor for P | |
MMBT6589T1G | ROCHESTER |
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1000mA, 30V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, LEAD FREE, CASE 318G-02, TSOP-6 | |
MMBT6703D | SWST |
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小信号晶体管 |