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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> MMBT6517LT1G
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MMBT6517LT1G

更新时间： 2024-11-25 10:52:27
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管高压
页数 文件大小 规格书
5页 153K
描述
High Voltage Transistor

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MMBT6517LT1G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：End Of Life
零件包装代码：SOT-23包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.44最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：350 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：15JEDEC-95代码：TO-236AB
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.225 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：40 MHz
Base Number Matches：1

MMBT6517LT1G 数据手册

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MMBT6517LT1G  
High Voltage Transistor  
NPN Silicon  
Features  
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS  
http://onsemi.com  
Compliant  
COLLECTOR  
3
1
BASE  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Collector − Emitter Voltage  
Collector −Base Voltage  
Emitter − Base Voltage  
Symbol  
Value  
350  
350  
5.0  
Unit  
V
2
EMITTER  
V
CEO  
V
CBO  
V
3
V
EBO  
V
Base Current  
I
25  
mA  
mA  
B
C
1
Collector Current − Continuous  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
I
100  
2
SOT−23 (TO−236AB)  
CASE 318  
Symbol  
Max  
Unit  
STYLE 6  
Total Device Dissipation FR−5 Board  
P
225  
mW  
D
(Note 1) T = 25°C  
A
Derate above 25°C  
1.8  
mW/°C  
°C/W  
MARKING DIAGRAM  
Thermal Resistance,  
R
q
556  
JA  
Junction−to−Ambient  
1Z M G  
Total Device Dissipation  
P
300  
mW  
D
G
Alumina Substrate, (Note 2) T = 25°C  
A
Derate above 25°C  
2.4  
mW/°C  
°C/W  
1
Thermal Resistance,  
R
q
417  
JA  
1Z  
M
G
= Device Code  
= Date Code*  
= Pb−Free Package  
Junction−to−Ambient  
Junction and Storage Temperature  
T , T  
J
−55 to +150  
°C  
stg  
(Note: Microdot may be in either location)  
*Date Code orientation and/or overbar may  
vary depending upon manufacturing location.  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. FR−5 = 1.0 ꢀ 0.75 ꢀ 0.062 in.  
2. Alumina = 0.4 ꢀ 0.3 ꢀ 0.024 in. 99.5% alumina.  
ORDERING INFORMATION  
†
Device  
Package  
Shipping  
MMBT6517LT1G SOT−23  
(Pb−Free)  
3000 Tape & Reel  
MMBT6517LT3G SOT−23 10,000 Tape & Reel  
(Pb−Free)  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2009  
1
Publication Order Number:  
August, 2009 − Rev. 6  
MMBT6517LT1/D  
 
12345

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MMBT6517LT1G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MMBT6517LT3 ONSEMI

完全替代

 100mA, 350V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, CASE 318-08, 3 PIN
MMBT6517LT1 ONSEMI

完全替代

 High Voltage Transistor(NPN Silicon)
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