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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SOT-23 | 包装说明： | CASE 318-08, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.33 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 集电极-发射极最大电压： | 350 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 15 |
| JEDEC-95代码： | TO-236AB | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e0 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.225 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 40 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| MMBT6517LT1G | ONSEMI |
完全替代  |
High Voltage Transistor |
|
| MMBT6517LT3G | ONSEMI |
完全替代 |
High Voltage Transistor |
|
| MMBT6517LT1 | ONSEMI |
完全替代 |
High Voltage Transistor(NPN Silicon) |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MMBT6517LT3G | ONSEMI |
获取价格 |
High Voltage Transistor |
|
| MMBT6520 | TYSEMI |
获取价格 |
PNP Silicon High Voltage Transistor |
|
| MMBT6520 | KEXIN |
获取价格 |
High Voltage Transistor |
|
| MMBT6520 | LRC |
获取价格 |
High Voltage Transistor(PNP Silicon) |
|
| MMBT6520 | ONSEMI |
获取价格 |
High Voltage Transistor(PNP Silicon) |
|
| MMBT6520 | TI |
获取价格 |
MMBT6520 |
|
| MMBT6520L | MOTOROLA |
获取价格 |
500mA, 350V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, CASE 318-07, 3 PIN |
|
| MMBT6520LT1 | MOTOROLA |
获取价格 |
High Voltage Transistor |
|
| MMBT6520LT1 | ONSEMI |
获取价格 |
High Voltage Transistor(PNP Silicon) |
|
| MMBT6520LT1 | LRC |
获取价格 |
High Voltage Transistor(PNP Silicon) |
|
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