5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > MMBT6429LT3
MMBT6429LT3 PDF预览

MMBT6429LT3

更新时间： 2024-02-13 16:41:10
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 211K
描述
200mA, 45V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, CASE 318-08, 3 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

MMBT6429LT3 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.46其他特性：LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)：0.2 A集电极-发射极最大电压：45 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：500
JEDEC-95代码：TO-236ABJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHz

MMBT6429LT3 数据手册

 浏览型号MMBT6429LT3的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MMBT6429LT3的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MMBT6429LT3的Datasheet PDF文件第4页浏览型号MMBT6429LT3的Datasheet PDF文件第5页浏览型号MMBT6429LT3的Datasheet PDF文件第6页 
Order this document  
by MMBT6428LT1/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
COLLECTOR  
3
NPN Silicon  
1
BASE  
2
3
EMITTER  
MAXIMUM RATINGS  
1
Rating  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Symbol  
6428LT1 6429LT1  
Unit  
Vdc  
2
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
50  
60  
45  
55  
CASE 318–08, STYLE 6  
SOT–23 (TO–236AB)  
Vdc  
Emitter–Base Voltage  
6.0  
Vdc  
Collector Current — Continuous  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
I
200  
mAdc  
C
Symbol  
Max  
Unit  
(1)  
Total Device Dissipation FR–5 Board  
P
225  
mW  
D
T
= 25°C  
A
Derate above 25°C  
1.8  
556  
300  
mW/°C  
°C/W  
mW  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Total Device Dissipation  
R
JA  
D
P
(2)  
Alumina Substrate,  
Derate above 25°C  
T = 25°C  
A
2.4  
mW/°C  
°C/W  
°C  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Junction and Storage Temperature  
DEVICE MARKING  
R
417  
JA  
T , T  
J stg  
–55 to +150  
MMBT6428LT1 = 1KM; MMBT6429LT1 = 1L  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
V
Vdc  
(BR)CEO  
(I = 1.0 mAdc, I = 0)  
MMBT6428  
MMBT6429  
50  
45  
—
—
C
C
B
B
(I = 1.0 mAdc, I = 0)  
Collector–Base Breakdown Voltage  
(I = 0.1 mAdc, I = 0)  
V
Vdc  
(BR)CBO  
MMBT6428  
MMBT6429  
60  
55  
—
—
C
E
(I = 0.1 mAdc, I = 0)  
C
E
Collector Cutoff Current  
(V = 30 Vdc)  
I
µAdc  
µAdc  
µAdc  
CES  
—
—
—
0.1  
CE  
Collector Cutoff Current  
(V = 30 Vdc, I = 0)  
I
CBO  
0.01  
0.01  
CB  
Emitter Cutoff Current  
(V = 5.0 Vdc, I = 0)  
E
I
EBO  
EB  
C
1. FR–5 = 1.0  
2. Alumina = 0.4  
0.75 0.062 in.  
0.3 0.024 in. 99.5% alumina.  
Thermal Clad is a trademark of the Bergquist Company.  
Motorola, Inc. 1996
123456

中文翻译

下载PDF

与MMBT6429LT3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MMBT6472LT1 LRC

获取价格

 		Darlington Transistors(NPN Silicon)
MMBT6515 FAIRCHILD

获取价格

 		NPN General Purpose Amplifier
MMBT6515 NSC

获取价格

 		TRANSISTOR,BJT,NPN,25V V(BR)CEO,TO-236VAR
MMBT6515 ONSEMI

获取价格

 		NPN通用放大器
MMBT6515_NL FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236A
MMBT6515D87Z TI

获取价格

 		NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBT6515L99Z TI

获取价格

 		NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBT6515S62Z TI

获取价格

 		NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBT6517 KEXIN

获取价格

 		High Voltage Transistors
MMBT6517 TYSEMI

获取价格

 		NPN Silicon

与MMBT6429LT3相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证