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MMBT6517

更新时间： 2024-01-01 11:51:33

品牌	Logo	应用领域
乐山 - LRC		晶体晶体管光电二极管高压
页数	文件大小	规格书
5页	167K
描述
High Voltage Transistors(NPN Silicon)

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MMBT6517 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SOT-23
包装说明：	SOT-23, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.46

MMBT6517 数据手册

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.

High Voltage Transistors

NPN Silicon

MMBT6517LT1

COLLECTOR

BASE

EMITTER

MAXIMUM RATINGS

CASE 318–08, STYLE 6

SOT–23 (TO–236AB)

Rating

Symbol

V _CEO

V _CBO

V _EBO

I _B

Value

Unit

Vdc

Collector–Emitter Voltage

Collector–Base Voltage

Emitter–Base Voltage

Base Current

350

5.0

Vdc

250

500

mAdc

Collector Current — Continuous

I _C

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Symbol

Max

Unit

Total Device Dissipation FR– 5 Board, (1)

T_A= 25°C

P_D

225

Derate above 25°C

1.8

556

300

mW/°C

°C/W

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Total Device Dissipation

R_θJA

P_D

Alumina Substrate, (2) T_A= 25°C

Derate above 25°C

2.4

mW/°C

°C/W

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Junction and Storage Temperature

R_θJA

417

T_J, T_stg

–55 to +150

°C

DEVICE MARKING

MMBT6517LT1 = 1Z

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= 25°C unless otherwise noted.)

Characteristic

Symbol

Min

Max

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Collector–Emitter Breakdown Voltage

(I _C= 1.0 mAdc )

V _(BR)CEO

V _(BR)CBO

V _(BR)EBO

I _CBO

350

6.0

—

Vdc

Collector–Base Breakdown Voltage

(I _C= 100 µAdc )

Emitter–Base Breakdown Voltage

(I _E= 10 µAdc )

Vdc

Collector Cutoff Current

( V _CB= 250Vdc )

nAdc

Emitter Cutoff Current

( V _EB= 5.0Vdc )

I _EBO

—

1. FR–5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.

2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina.

M23–1/5

12 3 4 5

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