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MMBT5550LT1

更新时间： 2024-11-08 22:54:43

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乐山 - LRC		晶体晶体管开关光电二极管高压
页数	文件大小	规格书
4页	163K
描述
High Voltage Transistors(NPN Silicon)

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MMBT5550LT1 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.4
最大集电极电流 (IC)：	0.6 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	20	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
Base Number Matches：	1

MMBT5550LT1 数据手册

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.

High Voltage Transistors

NPN Silicon

COLLECTOR

MMBT5550LT1

MMBT5551LT1

BASE

EMITTER

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

V _CEO

V _CBO

V _EBO

I _C

Value

140

160

6.0

Unit

Collector–Emitter Voltage

Collector–Base Voltage

Emitter–Base Voltage

Collector Current — Continuous

Vdc

CASE 318–08, STYLE 6

SOT–23 (TO–236AB)

Vdc

600

mAdc

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Symbol

Max

Unit

Total Device Dissipation FR– 5 Board, (1)

T_A= 25°C

P_D

225

1.8

mW/°C

°C/W

Derate above 25°C

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Total Device Dissipation

R_θJA

P_D

556

300

2.4

Alumina Substrate, (2) T_A= 25°C

Derate above 25°C

mW/°C

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Junction and Storage Temperature

R_θJA

417

°C/W

T_J, T_stg

–55 to +150

°C

DEVICE MARKING

MMBT5550LT1 = M1F, MMBT5551LT1 = G1

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= 25°C unless otherwise noted.)

Characteristic

Symbol

Min

Max

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Collector–Emitter Breakdown Voltage(3)

V _(BR)CEO

Vdc

(I _C= 1.0 mAdc, I _B= 0)

MMBT5550

140

160

—

MMBT5551

Collector–Base Breakdown Voltage

V _(BR)CBO

Vdc

(I _C= 100 µAdc, I _E= 0)

MMBT5550

MMBT5551

160

180

—

Emitter–Base Breakdown Voltage

(I _E= 10 µAdc, I _C= 0)

V _(BR)EBO

I _CBO

6.0

—

Collector Cutoff Current

( V _CB= 100Vdc, I _E= 0)

( V _CB= 120Vdc, I _E= 0)

MMBT5550

MMBT5551

—

100

nAdc

( V _CB= 100Vdc, I _E= 0, T _A=100 °C) MMBT5550

( V _CB= 120Vdc, I _E= 0, T _A=100 °C) MMBT5551

Emitter Cutoff Current

100

µAdc

I _EBO

—

nAdc

( V _BE= 4.0Vdc, I _C= 0)

1. FR–5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.

2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina.

3. Pulse Test: Pulse Width = 300 µs, Duty Cycle = 2.0%.

M20–1/4

12 3 4

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