是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Active |
零件包装代码: | SOT-23 | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | Factory Lead Time: | 1 week |
风险等级: | 0.62 | 最大集电极电流 (IC): | 0.5 A |
集电极-发射极最大电压: | 150 V | 配置: | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE): | 50 | JEDEC-95代码: | TO-236 |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | PNP | 最大功率耗散 (Abs): | 0.3 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称过渡频率 (fT): | 100 MHz |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
MMBT5401LT3G | ONSEMI | High Voltage Transistor(PNP Silicon) |
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MMBT5401L-X-AE3-R | UTC | HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR |
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MMBT5401M3T5G | ONSEMI | 150 V,60 mA,低饱和压,PNP 晶体管,SOT-723 |
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MMBT5401Q | DIODES | PNP, 150V, 0.6A, SOT23 |
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MMBT5401Q | YANGJIE | SOT-23 |
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MMBT5401S62Z | FAIRCHILD | Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SO-3 |
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