MMBT5401LT3

更新时间： 2024-02-10 05:07:23

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安森美 - ONSEMI		晶体晶体管高压
页数	文件大小	规格书
6页	95K
描述
High Voltage Transistor(PNP Silicon)

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MMBT5401LT3 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
零件包装代码：	SOT-23	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	1 week
风险等级：	0.62	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
集电极-发射极最大电压：	150 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	50	JEDEC-95代码：	TO-236
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
Base Number Matches：	1

MMBT5401LT3 数据手册

MMBT5401LT1

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)

Characteristic

Symbol

Min

Max

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Collector−Emitter Breakdown Voltage

Vdc

(BR)CEO

(BR)CBO

(BR)EBO

(I = −1.0 mAdc, I = 0)

−150

−160

−5.0

−

Collector−Base Breakdown Voltage

(I = −100 mAdc, I = 0)

Emitter−Base Breakdown Voltage

(I = −10 mAdc, I = 0)

Collector Cutoff Current

(V = −120 Vdc, I = 0)

CES

−

−50

nAdc

mAdc

(V = −120 Vdc, I = 0, T = 100°C)

ON CHARACTERISTICS

DC Current Gain

−

(I = −1.0 mAdc, V = −5.0 Vdc)

−

240

−

(I = −10 mAdc, V = −5.0 Vdc)

(I = −50 mAdc, V = −5.0 Vdc)

Collector−Emitter Saturation Voltage

(I = −10 mAdc, I = −1.0 mAdc)

Vdc

CE(sat)

−

−0.2

−0.5

(I = −50 mAdc, I = −5.0 mAdc)

Base−Emitter Saturation Voltage

(I = −10 mAdc, I = −1.0 mAdc)

BE(sat)

−

−1.0

(I = −50 mAdc, I = −5.0 mAdc)

SMALL−SIGNAL CHARACTERISTICS

Current−Gain — Bandwidth Product

MHz

−

(I = −10 mAdc, V = −10 Vdc, f = 100 MHz)

100

−

300

6.0

200

8.0

Output Capacitance

obo

(V = −10 Vdc, I = 0, f = 1.0 MHz)

Small Signal Current Gain

(I = −1.0 mAdc, V = −10 Vdc, f = 1.0 kHz)

−

Noise Figure

(I = −200 mAdc, V = −5.0 Vdc, R = 10 W, f = 1.0 kHz)

http://onsemi.com

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