MMBT5401LT3

更新时间： 2024-02-23 12:19:07

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安森美 - ONSEMI		晶体晶体管高压
页数	文件大小	规格书
6页	95K
描述
High Voltage Transistor(PNP Silicon)

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MMBT5401LT3 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
零件包装代码：	SOT-23	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	1 week
风险等级：	0.62	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
集电极-发射极最大电压：	150 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	50	JEDEC-95代码：	TO-236
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
Base Number Matches：	1

MMBT5401LT3 数据手册

MMBT5401LT1

200

150

T = 125°C

100

25°C

−ꢀ55°C

0.3

= −1.0 V

= −5.0 V

0.1

0.2

0.5

1.0

2.0

3.0

5.0

100

I , COLLECTOR CURRENT (mA)

Figure 1. DC Current Gain

1.0

0.9

0.8

0.7

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

= 1.0 mA

10 mA

30 mA

100 mA

0.005

0.01

0.02

0.05

0.1

0.2

0.5

1.0

2.0

5.0

I , BASE CURRENT (mA)

Figure 2. Collector Saturation Region

= 30 V

= I

CES

T = 125°C

75°C

−1

REVERSE

25°C

FORWARD

−2

−3

0.3 0.2 0.1

0.1 0.2 0.3 0.4

0.5 0.6 0.7

, BASE−EMITTER VOLTAGE (VOLTS)

Figure 3. Collector Cut−Off Region

http://onsemi.com

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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