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MMBT5550

更新时间: 2024-01-10 17:42:14
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 晶体晶体管高压IOT
页数 文件大小 规格书
2页 79K
描述
NPN (HIGH VOLTAGE TRANSISTOR)

MMBT5550 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:,Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.64Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):0.6 A配置:Single
最小直流电流增益 (hFE):60JESD-609代码:e0
最高工作温度:150 °C极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):0.225 W子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT):100 MHzBase Number Matches:1

MMBT5550 数据手册

 浏览型号MMBT5550的Datasheet PDF文件第2页 

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