5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> MMBT5401-TP
MMBT5401-TP PDF预览

MMBT5401-TP

更新时间： 2024-01-09 06:57:13
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 晶体小信号双极晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 65K
描述
PNP Plastic Encapsulate Transistor

阅读下载

中文翻译

获取价格

MMBT5401-TP 技术参数

生命周期：Contact ManufacturerReach Compliance Code：compliant
风险等级：5.61Base Number Matches：1

MMBT5401-TP 数据手册

 浏览型号MMBT5401-TP的Datasheet PDF文件第2页 
M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
MMBT5401  
Micro Commercial Components  
Features  
PNP Plastic  
Encapsulate  
Transistor  
•
•
•
•
•
•
Collector Current: ICM=0.6A  
Collector-Base Voltage: V(BR)CBO=160V  
Operating And Storage Temperatures –55OC to 150OC  
Capable of 0.3Watts of Power Dissipation  
Marking: 2L  
Case Material:Molded Plastic. UL Flammability  
Classificatio Rating 94-0 and MSL Rating 1  
SOT-23  
A
D
Electrical Characteristics @ 25OC Unless Otherwise Specified  
Symbol  
C
Parameter  
Min  
Max  
Units  
B
C
OFF CHARACTERISTICS  
V(BR)CEO  
V(BR)CBO  
V(BR)EBO  
ICBO  
Collector -Emitter Breakdown Voltage  
150  
160  
5.0  
---  
---  
---  
Vdc  
Vdc  
E
B
(I =1.0mAdc, IB=0)  
C
F
E
Collector-Base Breakdown Voltage  
(IC=100uAdc, IE=0)  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
(IE=10uAdc, IC=0)  
Collector Cutoff Current  
(VCB=120Vdc, IE=0)  
Emitter Cutoff Current  
(VEB=4.0Vdc, IC=0)  
---  
Vdc  
G
H
J
0.1  
0.1  
uAdc  
uAdc  
K
IEBO  
---  
DIMENSIONS  
MM  
INCHES  
MIN  
.110  
ON CHARACTERISTICS  
hFE-1  
DIM  
A
B
C
D
E
MAX  
.120  
.098  
.055  
.041  
.081  
.024  
.0039  
.044  
.007  
.020  
MIN  
2.80  
2.10  
1.20  
.89  
1.78  
.45  
.013  
.89  
MAX  
3.04  
2.64  
1.40  
1.03  
2.05  
.60  
.100  
1.12  
.180  
.51  
NOTE  
DC Current Gain  
80  
100  
50  
---  
200  
---  
---  
---  
---  
.083  
.047  
.035  
.070  
(VCE=5.0Vdc, I =1.0mAdc)  
C
hFE-2  
DC Current Gain  
(VCE=5.0Vdc, I =10mAdc)  
C
F
.018  
hFE-3  
DC Current Gain  
G
H
J
.0005  
.035  
(VCE=5.0Vdc, I =50mAdc)  
C
.003  
.015  
.085  
.37  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
K
(I =50mAdc, IB=5.0mAdc)  
0.5  
1.0  
Vdc  
Vdc  
---  
---  
C
Suggested Solder  
Pad Layout  
Base-Emitter Saturation Voltage  
(I =50mAdc,IB=5.0mAdc)  
C
SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS  
.031  
.800  
fT  
Current Gain-Bandwidth Product  
(I =10mAdc, VCE=5.0Vdc, f=30MHz)  
100  
---  
MHz  
.035  
.900  
C
inches  
.079  
2.000  
mm  
.037  
.950  
.037  
.950  
www.mccsemi .com  
1 of 2  
Revision: 3  
2008/01/01  
12

中文翻译

下载PDF

MMBT5401-TP 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MMBT5401-7-F DIODES

功能相似

 PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
MMBT5401LT1G ONSEMI

功能相似

 High Voltage Transistor(PNP Silicon)
MMBT5401 FAIRCHILD

功能相似

 PNP General Purpose Amplifier

与MMBT5401-TP相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MMBT5401W SECOS

获取价格

 		Plastic-Encapsulate Transistor
MMBT5401W SWST

获取价格

 		小信号晶体管
MMBT5401W FOSHAN

获取价格

 		SOT-323
MMBT5401WT1G ONSEMI

获取价格

 		High Voltage Transistor
MMBT5451DW SWST

获取价格

 		小信号晶体管
MMBT549 SWST

获取价格

 		小信号晶体管
MMBT5518DE SWST

获取价格

 		小信号晶体管
MMBT5518DW SWST

获取价格

 		小信号晶体管
MMBT5541DW SWST

获取价格

 		小信号晶体管
MMBT5550 ONSEMI

获取价格

 		High Voltage Transistors NPN Silicon

与MMBT5401-TP相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证