MMBT5401-TP

更新时间： 2024-11-05 10:52:27

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美微科 - MCC		晶体小信号双极晶体管光电二极管
页数	文件大小	规格书
2页	65K
描述
PNP Plastic Encapsulate Transistor

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MMBT5401-TP 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	0.69
最大集电极电流 (IC)：	0.6 A	集电极-发射极最大电压：	150 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	50
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	Base Number Matches：	1

MMBT5401-TP 数据手册

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

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MMBT5401

Micro Commercial Components

Features

PNP Plastic

Encapsulate

Transistor

•

Collector Current: I_CM=0.6A

Collector-Base Voltage: V_(BR)CBO=160V

Operating And Storage Temperatures –55^OC to 150^OC

Capable of 0.3Watts of Power Dissipation

Marking: 2L

Case Material:Molded Plastic. UL Flammability

Classificatio Rating 94-0 and MSL Rating 1

SOT-23

Electrical Characteristics @ 25^OC Unless Otherwise Specified

Symbol

Parameter

Min

Max

Units

OFF CHARACTERISTICS

V_(BR)CEO

V_(BR)CBO

V_(BR)EBO

I_CBO

Collector -Emitter Breakdown Voltage

150

160

5.0

---

Vdc

(I =1.0mAdc, I_B=0)

Collector-Base Breakdown Voltage

(I_C=100uAdc, I_E=0)

Emitter-Base Breakdown Voltage

(I_E=10uAdc, I_C=0)

Collector Cutoff Current

(V_CB=120Vdc, I_E=0)

Emitter Cutoff Current

(V_EB=4.0Vdc, I_C=0)

---

Vdc

0.1

uAdc

I_EBO

---

DIMENSIONS

INCHES

MIN

.110

ON CHARACTERISTICS

h_FE-1

DIM

MAX

.120

.098

.055

.041

.081

.024

.0039

.044

.007

.020

MIN

2.80

2.10

1.20

.89

1.78

.45

.013

.89

MAX

3.04

2.64

1.40

1.03

2.05

.60

.100

1.12

.180

.51

NOTE

DC Current Gain

100

---

200

---

.083

.047

.035

.070

(V_CE=5.0Vdc, I =1.0mAdc)

h_FE-2

DC Current Gain

(V_CE=5.0Vdc, I =10mAdc)

.018

h_FE-3

DC Current Gain

.0005

.035

(V_CE=5.0Vdc, I =50mAdc)

.003

.015

.085

.37

V_CE(sat)

V_BE(sat)

Collector-Emitter Saturation Voltage

(I =50mAdc, I_B=5.0mAdc)

0.5

1.0

Vdc

---

Suggested Solder

Pad Layout

Base-Emitter Saturation Voltage

(I =50mAdc,I_B=5.0mAdc)

SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS

.031

.800

f_T

Current Gain-Bandwidth Product

(I =10mAdc, V_CE=5.0Vdc, f=30MHz)

100

---

MHz

.035

.900

inches

.079

2.000

.037

.950

.037

.950

www.mccsemi .com

1 of 2

Revision: 3

2008/01/01

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MMBT5401-TP 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
MMBT5401-7-F	DIODES	功能相似	PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
MMBT5401LT1G	ONSEMI	功能相似	High Voltage Transistor(PNP Silicon)
MMBT5401	FAIRCHILD	功能相似	PNP General Purpose Amplifier

与MMBT5401-TP相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MMBT5401W	SECOS	获取价格	Plastic-Encapsulate Transistor
MMBT5401W	SWST	获取价格	小信号晶体管
MMBT5401W	FOSHAN	获取价格	SOT-323
MMBT5401WT1G	ONSEMI	获取价格	High Voltage Transistor
MMBT5451DW	SWST	获取价格	小信号晶体管
MMBT549	SWST	获取价格	小信号晶体管
MMBT5518DE	SWST	获取价格	小信号晶体管
MMBT5518DW	SWST	获取价格	小信号晶体管
MMBT5541DW	SWST	获取价格	小信号晶体管
MMBT5550	ONSEMI	获取价格	High Voltage Transistors NPN Silicon

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