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MMBT5518DW

更新时间： 2024-11-25 14:55:59

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先科 - SWST		晶体管
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5页	321K
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小信号晶体管

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MMBT5518DW 数据手册

MMBT5518DW

Complementary NPN / PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor

Features

• Low Saturation Voltage

TR2

TR1

TR1: 1. Emitter 2. Base 6. Collector

TR2: 4. Emitter 5. Base 3. Collector

SOT-363 Plastic package

Applications

• General purpose amplifier and switching

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25℃ Unless otherwise specified): TR1

Parameter

Collector Base Voltage

Symbol

V_CBO

Value

Unit

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

V_CEO

V_EBO

Collector Current

I_C

500

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25℃ Unless otherwise specified): TR2

Parameter

Collector Base Voltage

Symbol

-V_CBO

-V_CEO

-V_EBO

Value

Unit

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

Collector Current

-I_C

500

Thermal Characteristics:TR1 and TR2

Parameter

Symbol

P_tot

Value

150

Unit

℃/W

℃

Total Power Dissipation

Thermal Resistance from Junction to Ambient ¹⁾

R_θJA

T_j

833

Junction Temperature

150

Storage Temperature Range

T_stg

- 55 to + 150

℃

¹⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, with minimum recommended pad layout.

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Dated: 06/03/2023 Rev: 02

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