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MMBT5401W

更新时间： 2023-12-06 20:03:28

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先科 - SWST		晶体管
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5页	242K
描述
小信号晶体管

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MMBT5401W 数据手册

MMBT5401W

PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor

Applications

• For high voltage amplifier applications

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25℃)

Parameter

Symbol

-V_CBO

-V_CEO

-V_EBO

Value

160

150

Unit

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

Collector Current Continuous

Power Dissipation

-I_C

P_tot

T_j

600

200

℃

Junction Temperature

150

Storage Temperature Range

T_stg

- 55 to + 150

℃

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

625

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ¹⁾

℃/W

Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad layout.

1 / 5

Dated: 21/03/2023 Rev: 02

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