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MMBT5550

更新时间： 2023-12-06 20:09:14

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鲁光 - LGE		双极型晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	574K
描述
双极型晶体管

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MMBT5550 数据手册

MMBT5550

NPN General Purpose Amplifier

1. BASE

2. EMITTER

3. COLLECTOR

FEATURES

SOT-23

Min

Epitaxial planar die construction.

Dim

Max

3.10

1.50

Ultra-small surface mount package.

2.70

1.10

1.0 Typical

0.4 Typical

0.35

0.48

2.00

0.1

1.80

0.02

APPLICATIONS

0.1 Typical

High voltage transistors.

2.20

2.60

All Dimensions in mm

General purpose application.

ORDERING INFORMATION

Type No.

Marking

M1F

Package Code

SOT-23

MMBT5550

MAXIMUM RATING @ Ta=25℃ unless otherwise specified

Symbol

Parameter

Value

Unit

Collector-Base Voltage

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

160

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

140

Collector Current -Continuous

Collector Dissipation

600

℃/W

℃

P_C

300

Thermal resistance,Junction to ambient

Junction and Storage Temperature

R_θJA

T_j,T_stg

417

-55 to+150

http://www.lgesemi.com

mail:lge@lgesemi.com

Revision:20170701-P1

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