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2N5401RLRAG

更新时间： 2024-01-21 20:50:48
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 73K
描述
Amplifier Transistors

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2N5401RLRAG 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：ActiveReach Compliance Code：not_compliant
风险等级：5.64基于收集器的最大容量：6 pF
集电极-发射极最大电压：150 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：60JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：TIN LEAD
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHzVCEsat-Max：0.5 V
Base Number Matches：1

2N5401RLRAG 数据手册

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2N5401  
Preferred Device  
Amplifier Transistors  
PNP Silicon  
Features  
• Pb−Free Packages are Available*  
http://onsemi.com  
COLLECTOR  
3
MAXIMUM RATINGS  
2
Rating  
Symbol 2N5400 2N5401  
Unit  
Vdc  
BASE  
Collector − Emitter Voltage  
Collector − Base Voltage  
Emitter − Base Voltage  
Collector Current − Continuous  
Total Device Dissipation  
V
120  
130  
150  
160  
CEO  
CBO  
V
Vdc  
1
EMITTER  
V
EBO  
5.0  
Vdc  
I
C
600  
mAdc  
P
D
D
@ T = 25°C  
Derate above 25°C  
625  
5.0  
mW  
mW/°C  
A
TO−92  
Total Device Dissipation  
P
CASE 29  
STYLE 1  
@ T = 25°C  
Derate above 25°C  
1.5  
12  
Watts  
mW/°C  
C
1
2
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
−55 to +150  
°C  
J
stg  
3
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.  
Maximumratings applied to the device are individual stress limit values (not nor-  
mal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are ex-  
ceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and reli-  
ability may be affected.  
MARKING DIAGRAM  
2N54xx  
YWW  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
Thermal Resistance,  
R
q
JA  
200  
°C/W  
Junction−to−Ambient  
Thermal Resistance,  
Junction−to−Case  
R
q
JC  
83.3  
°C/W  
Y
= Year  
WW  
= Work Week  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 2 of this data sheet.  
*For additional information on our Pb−Free strategy  
and soldering details, please download the  
ON Semiconductor Soldering and Mounting  
Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.  
Preferred devices are recommended choices for future use  
and best overall value.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2004  
1
Publication Order Number:  
May, 2004 − Rev. 1  
2N5401/D  
123456

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