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MMBT5343-L-TP-HF

更新时间： 2024-02-01 19:45:09

品牌	Logo	应用领域
美微科 - MCC		光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	335K
描述
Small Signal Bipolar Transistor,

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MMBT5343-L-TP-HF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.84
最大集电极电流 (IC)：	0.15 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	300
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	80 MHz
Base Number Matches：	1

MMBT5343-L-TP-HF 数据手册

M C C

MMBT5343-O

MMBT5343-Y

MMBT5343-G

MMBT5343-L

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

Micro Commercial Components

Features

Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates

RoHS Compliant. See ordering information)

Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

Moisure Sensitivity Level 1

NPN Silicon

Transistors

ꢀꢁ Low Collector Saturation Voltage: V_CE(sat)=0.25V(Max.)

ꢀꢁ Low Output Capacitance: Cob=2.0pF(Typ.)

ꢀꢁ Marking : 5343

Halogen free available upon request by adding suffix "-HF"

SOT-23

Maximum Ratings

Symbol

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

Rating

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

Rating

Unit

5.0

150

^OC

P_C

Collector power dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

200

T_J

150

T_STG

-55 to +150

Electrical Characteristics @ 25 C Unless Otherwise Specified

Symbol

Parameter

Min

Max

Units

DIMENSIONS

OFF CHARACTERISTICS

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

Collector-Base Breakdown Voltage

(I_C=100uAdc, I_B=0)

Collector-Emitter Breakdown Voltage

(I_C=10mAdc, I_B=0)

Emitter-Base Breakdown Voltage

(I_E=10uAdc, I_C=0)

Collector-Base Cutoff Current

(V_CB=60Vdc,I_E=0)

5.0

---

Vdc

INCHES

MIN

DIM

MAX

MIN

2.80

2.10

1.20

.89

1.78

.45

.013

.89

MAX

NOTE

.110

.083

.047

.035

.070

.018

.0005

.035

.003

.015

.120

.104

.055

.041

.081

.024

.0039

.044

.007

.020

3.04

2.64

1.40

1.03

2.05

.60

.100

1.12

.180

.51

---

Vdc

0.1

uAdc

I_EBO

Emitter-Base Cutoff Current

(V_EB=5.0Vdc, I_C=0)

---

.085

.37

ON CHARACTERISTICS

Suggested Solder

Pad Layout

h_FE

V_CE(sat)

f_T

Forward Current Transfer ratio*

---

700

0.25

---

Vdc

MHz

(I_C=2.0Adc, V_CE=6.0Vdc)

Collector-Emitter Saturation Voltage

(I_C=100mAdc, I_B=10mAdc)

Transition Frequency

(V_CE=10Vdc, I_C=1.0mAdc)

Collector Output Capacitance

(V_CB=10Vdc, I_E=0, f=1.0MHz)

Noise Figure

.031

.800

---

.035

.900

C_ob

2.0

3.5

.079

2.000

inches

(V_CE=6.0Vdc, I_C=0.1mAdc,

f=1.0KHz, Rg=10KĀ)

---

* h_FErank / O: 70-140, Y:120-240, G:200-400, L:300-700

.037

.950

.037

.950

www.mccsemi.com

1 of 3

Revision: B

2013/01/01

12 3

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MMBT5343-Y-TP	MCC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS C
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