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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> MSC2712GT1
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MSC2712GT1

更新时间： 2024-02-11 20:03:26
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体放大器小信号双极晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 48K
描述
General Purpose Amplifier Transistor

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MSC2712GT1 技术参数

是否无铅： 含铅生命周期：End Of Life
零件包装代码：SC-59包装说明：CASE 318D-04, SC-59, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.26最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：200JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e0湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.2 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn80Pb20)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：50 MHzBase Number Matches：1

MSC2712GT1 数据手册

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MSC2712GT1, MSC2712YT1  
General Purpose  
Amplifier Transistor  
NPN Surface Mount  
• Moisture Sensitivity Level: 1  
• ESD Rating: TBD  
http://onsemi.com  
COLLECTOR  
3
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C)  
A
Rating  
Collector−Base Voltage  
Collector−Emitter Voltage  
Emitter−Base Voltage  
Symbol  
Value  
60  
Unit  
Vdc  
V
(BR)CBO  
(BR)CEO  
(BR)EBO  
V
V
50  
Vdc  
7.0  
Vdc  
2
1
Collector Current − Continuous  
Collector Current − Peak  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
I
C
100  
200  
mAdc  
mAdc  
BASE  
EMITTER  
I
C(P)  
3
SC−59  
CASE 318D  
STYLE 1  
Symbol  
Max  
200  
Unit  
mW  
°C  
Power Dissipation  
P
D
2
1
Junction Temperature  
Storage Temperature  
T
J
150  
T
stg  
−55 to +150  
°C  
MARKING DIAGRAMS  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
(T = 25°C unless otherwise noted)  
A
12G  
M
12Y M  
Characteristic  
Symbol Min Max Unit  
Collector−Emitter Breakdown Voltage  
V
V
V
50  
60  
7.0  
−
−
Vdc  
(BR)CEO  
(BR)CBO  
(BR)EBO  
12G, 12 Y = Specific Device Code  
= Date Code  
(I = 2.0 mAdc, I = 0)  
C
B
M
Collector−Base Breakdown Voltage  
(I = 10 mAdc, I = 0)  
−
Vdc  
C
E
Emitter−Base Breakdown Voltage  
(I = 10 mAdc, I = 0)  
−
Vdc  
E
C
ORDERING INFORMATION  
Collector−Base Cutoff Current  
(V = 45 Vdc, I = 0)  
I
I
0.1  
mAdc  
CBO  
CEO  
{
Device  
Package  
SC−59  
Shipping  
CB  
E
Collector−Emitter Cutoff Current  
(V = 10 Vdc, I = 0)  
MSC2712GT1  
MSC2712YT1  
3000/Tape & Reel  
3000/Tape & Reel  
−
−
−
0.1  
2.0  
1.0 mAdc  
mAdc  
mAdc  
CE  
B
(V = 30 Vdc, I = 0)  
CE  
B
SC−59  
(V = 30 Vdc, I = 0, T = 80°C)  
CE  
B
A
DC Current Gain (Note 1)  
h
FE  
−
(V = 6.0 Vdc, I = 2.0 mAdc)  
MSC2712GT1  
MSC2712YT1  
†The “T1” suffix refers to a 7 inch reel.  
CE  
C
200 400  
120 240  
Collector−Emitter Saturation Voltage  
(I = 100 mAdc, I = 10 mAdc)  
V
−
0.5  
Vdc  
CE(sat)  
C
B
Current−Gain − Bandwidth Product  
(I = 1 mA, V = 10.0 V, f = 10 MHz)  
f
T
MHz  
50  
−
C
CE  
1. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 ms, D.C. ≤ 2%.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2003  
1
Publication Order Number:  
MSC2712GT1/D  
August, 2003 − Rev. 4  
1234

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MSC2712GT1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MMBT5210 ONSEMI

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MSC2712GT1_05 ONSEMI

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