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MMBT5210 PDF预览

MMBT5210

更新时间： 2024-10-31 22:48:35
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 放大器
页数 文件大小 规格书
7页 92K
描述
NPN General Purpose Amplifier

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MMBT5210 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：SOT-23
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：3.84
其他特性：LOW NOISE最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：250JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.35 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：30 MHzBase Number Matches：1

MMBT5210 数据手册

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2N5210/MMBT5210  
NPN General Purpose Amplifier  
C
This device is designed for low noise, high gain, general purpose  
amplifier applications at collector currents from 1µA to 50 mA.  
E
C
TO-92  
B
E
B
SOT-23  
Mark: 3M  
Absolute Maximum Ratings*  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
50  
50  
V
V
4.5  
100  
V
Collector Current - Continuous  
mA  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
C
°
TJ, Tstg  
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
NOTES:  
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.  
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.  
Thermal Characteristics  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Max.  
Symbol  
Characteristic  
Units  
2N5210  
MMBT5210  
PD  
Total Device Dissipation  
Derate above 25°C  
Thermal Resistance, Junction to Case  
625  
5.0  
83.3  
350  
2.8  
mW  
mW/°C  
°C/W  
RθJC  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
200  
357  
°C/W  
2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
2N5210, Rev B  
1234567

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MMBT5210 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MSD601-RT1G ONSEMI

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MSC2712GT1G ONSEMI

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MMBT6429LT1G ONSEMI

功能相似

 Amplifier Transistors NPN Silicon

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MMBT5210_NL FAIRCHILD

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23,
MMBT5223 TI

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 		MMBT5223
MMBT5224 TI

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 		MMBT5224
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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS C
MMBT5343-L MCC

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS C

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