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MMBT5210

更新时间: 2024-01-22 22:49:14
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美国国家半导体 - NSC /
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1页 53K
描述
TRANSISTOR,BJT,NPN,50V V(BR)CEO,TO-236VAR

MMBT5210 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SOT-23包装说明:SOT-23, 3 PIN
针数:3Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.95
风险等级:5.35其他特性:LOW NOISE
最大集电极电流 (IC):0.1 A集电极-发射极最大电压:50 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):250
JESD-30 代码:R-PDSO-G3JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):0.35 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):30 MHz
Base Number Matches:1

MMBT5210 数据手册

  
This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer  

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