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MMBT5179 PDF预览

MMBT5179

更新时间： 2023-09-03 20:29:12
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 放大器PC光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 209K
描述
NPN RF晶体管

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MMBT5179 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.38其他特性：LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)：0.05 A基于收集器的最大容量：1 pF
集电极-发射极最大电压：12 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：25最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN功耗环境最大值：0.225 W
最小功率增益 (Gp)：15 dB认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：900 MHzVCEsat-Max：0.4 V
Base Number Matches：1

MMBT5179 数据手册

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DATA SHEET  
www.onsemi.com  
NPN RF Transistor  
MMBT5179  
3
1
2
Description  
1. Base 2. Emitter 3. Collector  
This device is designed for use in low noise UHF/VHF amplifiers  
with collector currents in the 100 mA to 30 mA range in common  
emitter or common base mode of operation, and in low frequency  
drift, high ouput UHF oscillators. Sourced from Process 40.  
SOT−23  
CASE 318−08  
Features  
MARKING DIAGRAM  
• This Devices is Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and is RoHS  
Compliant  
3C M G  
G
1
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Symbol  
Parameter  
Collector−Emitter Voltage  
Collector−Base Voltage  
Emitter−Base Voltage  
Value  
Unit  
V
3C = Specific Device Code  
M
= Date Code*  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
12  
G
= Pb−Free Package  
20  
2.5  
V
(Note: Microdot may be in either location)  
V
*Date Code orientation and/or overbar may  
vary depending upon manufacturing location.  
I
C
Collector Current − Continuous  
50  
mA  
°C  
T , T  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range (Note 1)  
−55 to + 150  
J
stg  
ORDERING INFORMATION  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
†
Device  
Package  
Shipping  
3000 / Tape and Real  
MMBT5179  
SOT−23  
(Pb−Free)  
THERMAL CHARACTERISTICS  
A
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specification  
Brochure, BRD8011/D.  
(T = 25°C unless otherwise noted) (Note 3)  
Symbol  
Characteristic  
Max  
Unit  
P
D
Total Device Dissipation  
Derate above 25°C  
225  
1.8  
MW  
mW/°C  
RqJA  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
556  
°C/W  
1. These ratings are based on a maximum junction temperature of 150°C.  
2. These are steady−state limits. onsemi should be consulted on applications  
involving pulsed or low−duty cycle operations.  
3. Device mounted on FR−4 PCB 1.6”   1.6”   0.06”.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 1997  
1
Publication Order Number:  
May, 2022 − Rev. 1  
MMBT5179/D  
 
1234567

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MMBT5179 替代型号

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