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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.76 | 其他特性： | LOW NOISE |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.05 A | 基于收集器的最大容量： | 1 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 12 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 25 | 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
| JEDEC-95代码： | TO-236AB | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | NPN | 功耗环境最大值： | 0.225 W |
| 最小功率增益 (Gp)： | 15 dB | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 900 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.4 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MMBT5179/L99Z | TI |
获取价格 |
UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
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| MMBT5179_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
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| MMBT5179D87Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
|
| MMBT5179L99Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
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| MMBT5179S62Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
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| MMBT5209 | NSC |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,NPN,50V V(BR)CEO,TO-236 |
|
| MMBT5210 | FAIRCHILD |
获取价格 |
NPN General Purpose Amplifier |
|
| MMBT5210 | NSC |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,NPN,50V V(BR)CEO,TO-236VAR |
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| MMBT5210 | ONSEMI |
获取价格 |
NPN 通用放大器 |
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| MMBT5210_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23, |
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