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MMBT5089

更新时间： 2024-02-13 05:21:38
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 放大器
页数 文件大小 规格书
6页 214K
描述
NPN General Purpose Amplifier

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MMBT5089 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：SOT-23
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.17
其他特性：LOW NOISE最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：25 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：400JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.225 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：50 MHzBase Number Matches：1

MMBT5089 数据手册

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Discrete POWER & Signal  
Technologies  
2N5088  
2N5089  
MMBT5088  
MMBT5089  
C
E
TO-92  
C
B
B
SOT-23  
Mark: 1Q / 1R  
E
NPN General Purpose Amplifier  
This device is designed for low noise, high gain, general purpose  
amplifier applications at collector currents from 1µA to 50 mA.  
Sourced from Process 07.  
Absolute Maximum Ratings*  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
VCEO  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
2N5088  
2N5089  
2N5088  
2N5089  
30  
25  
35  
30  
4.5  
V
V
V
V
V
VCBO  
VEBO  
IC  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current - Continuous  
100  
mA  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
°C  
TJ, Tstg  
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
NOTES:  
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.  
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.  
Thermal Characteristics  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Characteristic  
Max  
Units  
2N5088  
2N5089  
*MMBT5088  
*MMBT5089  
PD  
Total Device Dissipation  
Derate above 25°C  
Thermal Resistance, Junction to Case  
625  
5.0  
83.3  
350  
2.8  
mW  
mW/°C  
°C/W  
Rθ  
JC  
Rθ  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
200  
357  
°C/W  
JA  
*Device mounted on FR-4 PCB 1.6" X 1.6" X 0.06."  
1997 Fairchild Semiconductor Corporation  
123456

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