ZTX690B

更新时间： 2024-02-21 03:44:44

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美台 - DIODES		晶体晶体管局域网
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3页	67K
描述
NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR

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ZTX690B 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-W3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.12	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	2 A	集电极-发射极最大电压：	45 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	150
JESD-30 代码：	R-PSIP-W3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	WIRE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	150 MHz
VCEsat-Max：	0.5 V	Base Number Matches：	1

ZTX690B 数据手册

NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER

HIGH GAIN TRANSISTOR

ISSUE 1 MAY 94

ZTX690B

FEATURES

45 Volt V_CEO

Gain of 400 at I_C=1 Amp

Very low saturation voltage

APPLICATIONS

Darlington replacement

Siren Drivers

Battery powered circuits

Motor drivers

E-Line

TO92 Compatible

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CM

VALUE

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Peak Pulse Current

Continuous Collector Current

Practical Power Dissipation*

I_C

P_totp

P_tot

1.5

Power Dissipation at T_amb=25°C

derate above 25°C

5.7

mW/°C

Operating and Storage Temperature Range

T_j:T_stg

-55 to +200

°C

*The power which can be dissipated assuming the device is mounted in a typical manner on a

P.C.B. with copper equal to 1 inch square minimum

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

amb

= 25°C)

PARAMETER

SYMBOL MIN. TYP.

MAX. UNIT CONDITIONS.

Collector-Base Breakdown

Voltage

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_C=100µA

I_C=10mA*

I_E=100µA

Collector-Emitter Breakdown

Voltage

Emitter-Base Breakdown

Voltage

Collector Cut-Off Current

Emitter Cut-Off Current

I_CBO

0.1

V_CB=35V

µA

I_EBO

V_EB=4V

Collector-Emitter Saturation

Voltage

V_CE(sat)

0.1

0.5

I_C=0.1A, I_B=0.5mA*

I_C=1A, I_B=5mA*

Base-Emitter

Saturation Voltage

V_BE(sat)

V_BE(on)

h_FE

0.9

I_C=1A, I_B=10mA*

Base-Emitter

Turn-On Voltage

0.9

IC=1A, V_CE=2V*

Static Forward Current

Transfer Ratio

500

400

150

I_C=100mA, V_CE=2V*

I_C=1A, V_CE=2V*

I_C=2A, V_CE=2V*

3-238

12 3

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ZTX690B 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
ZTX690BSTZ	DIODES	完全替代	NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR
ZTX601	DIODES	类似代替	NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER
ZTX749	DIODES	类似代替	PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR

与ZTX690B相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
ZTX690BM1TC	ZETEX	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 STY
ZTX690BQ	DIODES	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC,
ZTX690BSM	DIODES	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 COM
ZTX690BSMTA	ZETEX	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 COM
ZTX690BSMTA	DIODES	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 COM
ZTX690BSMTC	DIODES	获取价格	暂无描述
ZTX690BSTOA	DIODES	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 COM
ZTX690BSTOB	ZETEX	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 COM
ZTX690BSTZ	DIODES	获取价格	NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR
ZTX692	ZETEX	获取价格	NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR

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